[发明专利]带交流输出的场发射装置及对应于该装置的方法

权利要求书

1.一种对应于包括阴极区、栅极区、抑制器区和阳极区的装置的方法，所述方法包括：

向所述阳极区施加大于所述阴极区的阴极电势的阳极电势；

向所述栅极区施加栅极电势以从所述阴极区释放成组的电子；

将来自所述栅极区的所述成组的电子传递到所述抑制器区；

施加抑制器电势以使在所述抑制器区和所述阳极区之间的所述成组的电子减速；

将所述成组的电子束缚在所述阳极区内；和

用受束缚的所述成组的电子产生AC输出。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第一频率范围内使所述阴极区、所述栅极区、所述抑制器区和所述阳极区中的至少一个机械振荡；和

其中所述AC输出具有至少部分地由所述第一频率范围来确定的第二频率范围。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加栅极电势包括向所述栅极区施加具有第一频率范围的AC电势，并且，其中所述AC输出具有至少部分地由所述第一频率范围确定的第二频率范围。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

提供与所述栅极区、所述抑制器区和所述阳极区中的至少一个的测定参数相对应的信号，以至少部分地确定所述第一频率范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其中施加抑制器电势包括向所述抑制器区施加具有第一频率范围的、周期性的电势，其中所述AC输出具有至少部分地由所述第一频率范围确定的第二频率范围。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

提供与所述栅极区、所述抑制器区和所述阳极区中的至少一个的测定参数相对应的信号，以至少部分地确定所述第一频率范围。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第一频率范围中振荡场发射增强特征，其中所述场发射增强特征包括在所述阴极区内；以及

产生具有至少部分地由所述第一频率范围确定的第二频率范围的AC输出。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一频率范围至少部分地在电磁频谱的射频部分内。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二频率范围至少部分地在电磁频谱的射频部分内。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述场发射增强特征包括碳纳米管。

11.根据权利要求7所述的方法，其中振荡所述场发射增强特征包括：

向所述阴极区施加表面声波。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据第一频率范围，在场发射增强特征阵列中选择场发射增强特征，其中所述场发射增强特征阵列被包括在所述阴极区中；

在所述第一频率范围内振荡所述场发射增强特征；以及

产生具有对应于所述第一频率范围的第二频率范围的AC输出。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，振荡所述场发射增强特征包括：

向所述阴极区施加表面声波。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第一频率范围内向所述阴极区中的场发射增强特征阵列施加表面声波；以及

生成具有对应于所述第一频率范围的第二频率范围的AC输出。