[发明专利]基准电压电路有效
申请号: | 201380015584.3 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN104204986A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 高田幸辅;杉浦正一 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24;H03F1/30;H03F3/345 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜甜 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电压 电路 | ||
技术领域
本发明涉及生成基准电压的带隙基准电压电路,更详细而言涉及调整基准电压的温度特性的技术。
背景技术
图7示出现有的带隙基准电压电路的电路图。现有的带隙基准电压电路,由PMOS晶体管602、603、605、606、NMOS晶体管604、609、双极晶体管611、612、613、电阻607、608、启动电路601、输出端子610、电源端子101、接地端子100和基板端子620构成。
对连接进行说明。PMOS晶体管602,其栅极与启动电路601连接,漏极与NMOS晶体管609的栅极及漏极和NMOS晶体管604的栅极连接,源极与电源端子101连接。PMOS晶体管603,其漏极及栅极与NMOS晶体管604的漏极连接,源极与电源端子101连接。PMOS晶体管605,其栅极与PMOS晶体管603的栅极连接,漏极与NMOS晶体管609的漏极及栅极连接,源极与电源端子101连接。PMOS晶体管606,其漏极与输出端子610及电阻608的一个端子连接,源极与电源端子101连接。双极晶体管613,其发射极与电阻608的另一个端子连接,基极与接地端子100连接,集电极与基板端子620连接。NMOS晶体管604,其栅极与NMOS晶体管609的栅极连接,源极与电阻607的一个端子连接。双极晶体管611,其基极与接地端子100连接,发射极与电阻607的另一个端子连接,集电极与基板端子620连接。双极晶体管612,其基极与接地端子100连接,发射极与NMOS晶体管609的源极连接,集电极与基板端子620连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-309052号公报。
发明内容
发明要解决的课题
然而在现有技术中,存在当为了调整在输出端子610产生的输出电压的值而调整电阻608,则输出电压的温度特性发生变化这一课题。另外,还存在难以输出双极晶体管613的PN结的正向电压以下的电压这一课题。
本发明是为了解决以上那样的课题而设计的,提供能够调整为任意的输出电压、任意的温度特性的基准电压电路。
用于解决课题的方案
为了解决现有的课题,本发明的基准电压电路为如下的结构。
一种基准电压电路,具备:基准电流产生电路,对多个PN结元件的正向电压之差进行电流转换以产生第一电流;电流产生电路,使用由基准电流产生电路产生的第一电流来产生第二电流;以及电压发生电路,具有通过第一电流流动来产生具有正温度特性的第一电压的第一电阻元件和通过第一电流及第二电流流动来产生具有负温度特性的第二电压的第二电阻元件,输出将第一电压和第二电压相加的基准电压。
发明效果
依据本发明,能够调整为任意的输出电压、任意的温度特性。
附图说明
图1是示出本发明的基准电压电路的基本结构的框图。
图2是示出第一实施方式的基准电压电路的电路图。
图3是示出第二实施方式的基准电压电路的电路图。
图4是示出第三实施方式的基准电压电路的电路图。
图5是示出第四实施方式的基准电压电路的电路图。
图6是示出第五实施方式的基准电压电路的电路图。
图7是示出现有的基准电压电路的电路图。
图8是示出第一、二、五实施方式中的基准电压的调整单元的电路图。
图9是示出第三、四的实施方式中的基准电压的调整单元的电路图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是示出本发明的基准电压电路的基本结构的框图。在图1中11是能够对PN结元件的正向电压之差进行电流转换,产生任意的值的第一电流的基准电流产生电路。12是使用由基准电流产生电路11产生的第一电流来产生第二电流的电流产生电路。13是使用由基准电流产生电路11产生的第一电流和由电流产生电路12产生的第二电流,使既定电流流经电阻,从而产生电压的电压发生电路。而且,将该电压作为基准电压输出至输出端子10。
<第一实施方式>
图2是示出第一实施方式的基准电压电路的电路图。
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