[发明专利]氧化物膜及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物膜，其特征在于，其由银(Ag)及镍(Ni)形成的氧化物膜(可以包含不可避免的杂质)构成，且为微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态，并且具有p型导电性。

2.根据权利要求1所述的氧化物膜，其特征在于，相对于所述镍(Ni)的所述银(Ag)的原子数比，在将所述镍(Ni)的原子数设为1的情况下，所述银(Ag)的原子数为0.01以上0.1以下。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜是微结晶集合体或含微结晶的非晶态，且具有1S/cm以上的导电率。

4.根据权利要求1或2所述的氧化物膜，其特征在于，波长为400nm以上750nm以下的光线的穿透率为50％以上。

5.根据权利要求3或4所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的禁带宽度为3.0eV以上4.0eV以下。

6.一种氧化物膜的制造方法，其特征在于，包含：通过使由银(Ag)及镍(Ni)形成的氧化物的标靶的构成原子飞散，在基板上形成微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态，而且具有p型导电性的第一氧化物膜(可以包含不可避免的杂质)的步骤。

7.根据权利要求6所述的氧化物膜的制造方法，其特征在于，相对于所述镍(Ni)的所述银(Ag)的原子数比，在将所述镍(Ni)的原子数设为1的情况下，所述银(Ag)的原子数为0.01以上0.1以下。

8.根据权利要求6或7所述的氧化物膜的制造方法，其特征在于，在形成第一氧化物膜时的所述基板的温度为0℃以上500℃以下，且形成第一氧化物膜时的气体的压力为0.01Pa以上100Pa以下。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的氧化物膜的制造方法，其特征在于，包含将所述第一氧化物膜在大气中以100℃以上250℃以下进行加热以形成第二氧化物膜的步骤。

10.根据权利要求6所述的氧化物膜的制造方法，其特征在于，通过溅镀法或脉冲激光的照射，使所述标靶的构成原子飞散，以形成所述第一氧化物膜。