[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置(10)，包括：

-光电层结构(20)，所述光电层结构(20)具有阳极层(22)和阴极层(24)以及布置在所述阳极层和所述阴极层之间的光电层(26)，并且所述光电层结构(20)具有透光侧(28)，所述阳极层和所述阴极层中的所述阴极层最靠近所述透光侧；

-双导电层结构(40)，所述双导电层结构(40)布置在所述光电层结构的与所述透光侧相反的一侧，所述双导电层结构具有通过第一电绝缘层(46)相互绝缘的第一导电层(42)和第二导电层(44)，所述第一导电层与所述第二导电层中的所述第一导电层最靠近所述光电层结构；

-第二电绝缘层(50)，所述第二电绝缘层布置在所述发光层结构(20)和所述双导电层结构(40)之间，其中所述第一导电层(42)由穿过所述第二绝缘层的至少第一横向导电体(62)电连接所述阳极层(22)，并且所述第二导电层(44)由穿过所述第一电绝缘层(46)、所述第一导电层(42)、所述第二电绝缘层(50)、所述阳极层(22)和所述光电层(26)的至少第二横向导电体(64)电连接所述阴极层(24)，其特征在于所述至少第一横向导电体(62)由所述阳极层(22)的材料形成。

2.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述第一导电层(42)包括第一导电子层(421)和第二子层(422)，所述第二子层沉积在所述第一导电子层之上。

3.根据权利要求2所述的光电装置，其中所述第二子层(422)对于由所述光电层(26)发射的光的反射率为至少80％。

4.根据权利要求2或3所述的光电装置，其中在所述至少第一横向导电体(62)与所述第一导电层(42)电连接的位置(P)处不存在所述第二子层(422)。

5.根据前述权利要求中的一项所述的光电装置，其中所述至少第二横向导电体(64)延伸穿过所述第一导电层(42)的被绝缘部(42a)。

6.根据前述权利要求中的一项所述的光电装置，其中所述至少第二横向导电体(64)延伸穿过布置在所述第一导电层(42)中的绝缘材料(65)。

7.根据权利要求1所述的光电装置，包括在所述透光侧(28)处的透明阻挡层(70)。

8.一种制造光电装置的方法，包括下述步骤：

-提供双导电层结构，所述双导电层结构具有通过第一电绝缘层相互绝缘的一对导电层；

-在所述第一导电层之上提供第二电绝缘层，所述第二电绝缘层中具有提供到达所述第一导电层的通道的至少第一开口；

-沉积阳极层，由此使得所述阳极层的材料能够穿入所述至少第一开口以形成至少第一横向导电体，所述至少第一横向导电体穿过所述第一开口从所述阳极层延伸至所述第一导电层；

-形成至少第二开口，所述至少第二开口与所述第一开口不重叠，所述至少第二开口延伸穿过所述阳极层和所述第一导电层；

-在所述阳极层之上提供发光层；

-形成朝所述第二导电层延伸的至少第三开口，其中在由所述第一导电层所限定的平面中，所述至少第三开口具有如下横截面：所述横截面在所述平面中被所述第二开口的横截面带有间隔地包围；

-提供至少第二横向电连接，所述至少第二横向电连接在所述至少第二开口内延伸至所述第二导电层；以及

-在所述光电层之上沉积阴极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一导电层包括第一导电子层和第二子层，所述第二子层沉积在所述第一导电子层之上。

10.根据权利要求9所述的方法，包括在所述至少第一横向导电体待与所述第一导电层电连接的位置处去除所述第二子层的步骤。

11.根据权利要求8所述的方法，包括在沉积所述发光层的步骤之前形成所述至少第二开口的步骤。

12.根据权利要求8所述的方法，包括用绝缘材料填充所述至少第二开口，并且在所述绝缘材料内形成所述至少第三开口的步骤。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二开口在所述平面中具有带有内边界和外边界的环状截面，并且所述至少第三开口的横截面形成在所述内边界之内并且分离于所述至少第二开口。