[发明专利]具有射频(RF)回程路径的基板支撑件

说明书

技术领域

本发明的实施例大体涉及基板处理系统。

背景技术

使用射频(RF)产生等离子体的基板处理系统需要回程路径供在处理过程中所产生的射频电流返回诸如供给电流的射频源之类的源。在一些实施例中，所述回程路径可包括电流经由基板支撑件沿着处理系统的地面行进，然后最终沿着处理系统的壁流回源。然而，发明人已发现当在某些处理条件下操作时，杂散的等离子体(stray plasma)和/或在腔室部件之间的电弧，比如在基板支撑件与相邻的腔室部件之间的电弧能不期望地发生，导致部件受损和/或产生能够进而不期望地污染设置在处理系统中的基板的颗粒(particle)。

因此，发明人已提供使用于基板处理系统中的改良的基板支撑件的实施例。

发明内容

本文提供用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种用于处理基板的设备包含基板支撑件，所述基板支撑件可包含具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件；设置在所述介电构件之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面；以及第二导电构件，所述第二导电构件设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件，以使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过沿着所述一或更多个第一导电构件的所述面对介电构件的表面且在沿着面对介电层的表面行进之后沿着实质上平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进而返回至所述射频源。

在一些实施例中，一种设备可包括基板处理系统，所述基板处理系统包括具有内容积的工艺腔室；将所述内容积隔成处理容积和非处理容积且向所述工艺腔室的顶板延伸的隔件；以及设置在所述隔件之下的基板支撑件。其中所述基板支撑件进一步包含：具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件；设置在介电层之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面；以及第二导电构件，所述第二导电构件设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件导电构件，以使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过从所述一或更多个第一导电构件行进至所述第二导电构件再行进至所述隔件而返回所述射频源，其中所述射频能量沿着所述一或更多个第一导电构件的面对介电构件的表面且在沿着所述面对介电构件的表面行进之后沿着实质上平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进。

本发明的其他和进一步的实施例被描述于下文。

附图说明

能通过参考描绘于附图中的本发明的说明性实施例来理解上文简要概述且下文更加详细论述的本发明的实施例。然而，应注意的是，附图仅图示本发明的典型实施例且因此不被视为本发明的范围的限制，因为本发明可允许其他等同效果的实施例。

图1描绘根据本发明的一些实施例的具有基板支撑件的工艺腔室的截面示意图；

图1A描绘根据本发明的一些实施例的图1中的基板支撑件的部分截面示意图；

图2描绘根据本发明的一些实施例的具有基板支撑件的工艺腔室的部分截面示意图；

图2A描绘根据本发明的一些实施例的图2中的基板支撑件的部分截面示意图；

图3A至图3B分别描绘根据本发明的一些实施例的基板支撑件的多个导电元件的顶视及侧视示意图；

为了帮助理解，已尽可能使用相同的标记数字，以表示各附图共有的元件。附图并未按比例绘制且附图可为清楚而被简化。可理解的是一个实施例中的元件和特征可有益地并于其它实施例中而无需进一步详述。

具体实施方式

本文提供用于处理基板的设备的实施例。本发明的设备可包含基板支撑件，所述基板支撑件被配置以在基板支撑件与相邻的腔室部件之间提供射频回程路径，所述邻近的腔室部件比如围绕工艺腔室的处理容积的工艺配件隔件(process kit shield)。本发明的设备可为在处理过程中产生的射频电流有利地提供低阻抗回程路径。在一些示例性实施例中，当因提供约40MHz或更高的源频率以及高达约6kW的功率电平而在约60mTorr-140mTorr的压强下产生比如约150安培(A)的较高电流时，本发明的设备可有利地减少或防止在基板支撑件与诸如工艺配件隔件之类的相邻部件之间的电弧。举例而言，此类源和腔室参数可用于形成等离子体或类似物。本发明的其他实施例和有利的益处将论述于下文。