[发明专利]太阳能电池元件

权利要求书

1.一种太阳能电池元件，具备：

p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以所述第一半导体区域位于最靠第一主面侧且所述第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的第一钝化膜，该第一钝化膜含有氧化铝、氢以及碳，

在所述第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度和氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786，所述第一钝化膜的厚度方向的中央部的、氢的原子密度除以碳的原子密度所得的第三比率不足1。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，

所述第一钝化膜的与所述第一半导体区域的界面附近的所述第一比率比所述第一钝化膜的厚度方向的中央部的所述第一比率大。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件，其中，

还具备配置于所述半导体基板的所述第二主面侧的、包括氧化铝的第二钝化膜，该第二钝化膜含有碳。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，

所述第一钝化膜的与所述第一半导体区域的界面附近的所述第三比率比所述第一钝化膜的厚度方向的中央部的所述第三比率大。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池元件，其中，

所述氢及所述碳的双方的原子密度为5×10²⁰个/cm³以上。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，

所述第一钝化膜的厚度方向的中央部的所述碳的原子密度比所述氢的原子密度大，所述碳的原子密度为不足1×10²²个/cm³。