[发明专利]纳米结构化材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380017019.0 申请日: 2013-02-22
公开(公告)号: CN104335078B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 余大华;莫塞斯·M·大卫;阿卜杜贾巴尔·K·迪雷;艾伯特·I·埃费拉茨;威廉·布莱克·科尔布;托德·M·桑德曼;铃木俊介;斯科特·A·沃克 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: G02B1/118 分类号: G02B1/118;B82Y20/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 张爽,郭国清
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纳米 结构 材料 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米结构化材料,所述纳米结构化材料包含聚合物基体和纳米级分散相,表现出随机各向异性纳米结构化表面,并且在60度偏角处表现出小于1%的平均反射。

2.根据权利要求1所述的纳米结构化材料,其中所述纳米级相以尺寸在60nm至90nm范围内、尺寸在30nm至50nm范围内、以及尺寸小于25nm存在,并且其中基于所述聚合物基体和所述纳米级相的总重量计,对于60nm至90nm范围内的尺寸,所述纳米级相以0.25重量%至50重量%的范围存在;对于30nm至50nm范围内的尺寸,所述纳米级相以1重量%至50重量%存在;并且对于小于25nm的尺寸,所述纳米级相以0.25重量%至25重量%存在。

3.根据权利要求1所述的纳米结构化材料,其中所述纳米级相以尺寸在60nm至90nm范围内、尺寸在30nm至50nm范围内、以及尺寸小于25nm存在,并且其中基于所述聚合物基体和所述纳米级相的总体积计,对于60nm至90nm范围内的尺寸,所述纳米级相以0.1体积%至35体积%的范围存在;对于30nm至50nm范围内的尺寸,所述纳米级相以0.1体积%至25体积%存在;并且对于小于25nm的尺寸,所述纳米级相以0.1体积%至10体积%存在。

4.根据前述权利要求中任一项所述的纳米结构化材料,其中所述纳米级相包含亚微米粒子。

5.根据权利要求4所述的纳米结构化材料,其中所述亚微米粒子共价结合到所述聚合物基体。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米结构化材料,所述纳米结构化材料为层。

7.根据权利要求4所述的纳米结构化材料,所述纳米结构化材料为层。

8.根据权利要求6所述的纳米结构化材料,其中所述层具有至少500nm的厚度。

9.根据权利要求7所述的纳米结构化材料,其中所述层具有至少500nm的厚度。

10.一种制品,所述制品包括具有第一和第二对置的主表面的基底,其中权利要求6至9中任一项所述的层位于所述第一主表面上。

11.根据权利要求10所述的制品,所述制品具有小于2%的雾度。

12.根据权利要求10所述的制品,所述制品还包括设置在所述基底的第二表面上的光学透明的粘合剂,所述光学透明的粘合剂具有至少90%的可见光透射率和小于5%的雾度。

13.一种制造权利要求1至5中任一项所述的纳米结构化材料的方法,所述方法包括:

提供包含纳米分散相的聚合物基体;以及

使用等离子体各向异性地蚀刻所述聚合物基体以形成随机纳米结构化表面。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述聚合物基体被蚀刻到200nm至500nm范围内的深度。

15.一种制造权利要求1至5中任一项所述的纳米结构化材料的方法,所述方法包括:

提供包含纳米分散相的聚合物基体;以及

使用等离子体蚀刻所述聚合物基体的至少一部分以形成随机纳米结构化表面。

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