[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法

权利要求书

1.一种阻气膜，其特征在于，具备：具有由有机材料形成的表面的基板、及形成于所述基板上的以氮化硅为主要成分的无机膜，

所述无机膜中的氮与硅的组成比N/Si为1.00～1.35，膜密度为2.1g/cm³～2.4g/cm³，所述无机膜的膜厚为10nm～60nm，

混合层的厚度为5nm～40nm，所述混合层是形成于所述基板与所述无机膜的界面、且含有源自所述有机材料与所述无机膜的成分。

2.如权利要求1所述的阻气膜，其还具备形成于所述无机膜上的有机膜、及形成于所述有机膜上的无机膜。

3.如权利要求1或2所述的阻气膜，其中，

所述基板具备交替地形成有机膜与无机膜而成的层。

4.一种阻气膜的制造方法，其是制造权利要求1～3中任一项所述的阻气膜的方法，其包括：

一边沿长度方向运送具有由有机材料形成的表面的长形的基板，一边使用具有以夹持被运送的所述基板的方式配置的电极对的成膜机构、通过电容耦合型等离子体CVD于所述基板上成膜以氮化硅作为主要成分的无机膜，其中，

向所述电极对中的一个电极供给10MHz～100MHz的高频的等离子体激发电力，并以低于所述等离子体激发电力的0.1MHz～1MHz的频率向另一个电极供给所述等离子体激发电力的0.02倍～0.5倍的偏压电力从而进行成膜。

5.如权利要求4所述的阻气膜的制造方法，其中，

用以成膜所述无机膜的原料气体包含硅烷气体与氨气，硅烷气体与氨气的气体流量比为SiH₄∶NH₃＝1∶1.2～1∶3.0。

6.如权利要求4或5所述的阻气膜的制造方法，其中，

将成膜所述无机膜时的成膜压力设为10Pa～80Pa。