[发明专利]芯片接合用导电性糊及利用该导电性糊的芯片接合方法

权利要求书

1.一种导电性糊，其为由金属粉末和有机溶剂构成的芯片接合用导电性糊，其中，所述金属粉末由选自纯度为99.9质量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的银粉、钯粉、铜粉中的一种以上的金属粒子和包覆所述金属粒子的至少一部分的由金构成的包覆层构成。

2.如权利要求1所述的芯片接合用导电性糊，其中，包覆层的厚度为0.002μm～0.3μm。

3.如权利要求1或2所述的芯片接合用导电性糊，其中，构成包覆层的金属粒子的含量相对于糊重量的比例为70～99质量％。

4.一种芯片接合方法，其为将接合构件往衬底上进行芯片接合的方法，其包括：

在所述衬底或所述接合构件上涂布权利要求1～3中任一项所述的导电性糊的工序；和

在衬底上配置接合构件后，在从单向或双向进行加压的同时进行加热来进行接合的工序。

5.如权利要求4所述的芯片接合方法，其中，接合时的加热温度为80～300℃的温度。