[发明专利]氮化硅粉末的制造方法和氮化硅粉末以及氮化硅烧结体和使用其的电路基板

权利要求书

1.氮化硅粉末的制造方法，其一边通过连续烧结炉使比表面积为400～1200m²/g的非晶质Si-N(-H)系化合物流动，一边在含氮惰性气体气氛下或含氮还原性气体气氛下、在1400～1700℃的温度下烧结，其特征在于，

在将所述非晶质Si-N(-H)系化合物的比表面积设为RS m²/g、含氧比例设为RO质量％时，RS/RO为500以上，

在所述烧结时，在1000～1400℃的温度范围下，以12～100℃/分钟的升温速度加热所述非晶质Si-N(-H)系化合物，

所述非晶质Si-N(-H)系化合物由Si₆N_2x(NH)_12-3x表示，其中，式中x＝0.5～4，包括含有卤素作为杂质的化合物。

2.权利要求1所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述氮化硅粉末的比表面积为5～30m²/g，

对于所述氮化硅粉末，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO质量％、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO质量％、将所述氮化硅粉末的比表面积设为FS m²/g时，

FS/FSO为8～25，

FS/FIO为22以上。

3.权利要求2所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述氮化硅粉末通过激光衍射式粒度分布计进行的以体积为基准的粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.1以上。

4.权利要求1～3任一项所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述RS/RO为1000以上。

5.权利要求1～3任一项所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述升温速度为15～60℃/分钟。

6.权利要求1～3任一项所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述烧结的温度范围为1400～1600℃。

7.权利要求5所述的氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述烧结的温度范围为1400～1600℃。

8.氮化硅粉末，其特征在于，所述氮化硅粉末的比表面积为5～30m²/g，对于所述氮化硅粉末，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO质量％、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO质量％、将所述氮化硅粉末的比表面积设为FS m²/g时，FS/FSO为8～25、FS/FIO为22以上，所述氮化硅粉末的通过激光衍射式粒度分布计进行的以体积为基准的粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.1以上。

9.权利要求8所述的氮化硅粉末，其特征在于，所述氮化硅粉末不含金属硅。

10.权利要求8或9所述的氮化硅粉末，其特征在于，所述比表面积为7～25m²/g，所述FS/FSO为10～22，FS/FIO为25以上。

11.氮化硅烧结体，其是通过烧结权利要求8～10任一项所述的氮化硅粉末得到的。

12.权利要求11所述的氮化硅烧结体，其特征在于，所述氮化硅烧结体的相对密度为99％以上，室温下的弯曲强度为1000MPa以上，1200℃下的弯曲强度为600MPa以上。

13.权利要求11所述的氮化硅烧结体，其特征在于，所述氮化硅烧结体的相对密度为99％以上，室温弯曲强度为600MPa以上，传热系数为100W/mK以上。

14.电路基板，其使用权利要求13所述的氮化硅烧结体。