[发明专利]电容器元件的制造方法

权利要求书

1.一种电容器的阳极体的制造方法，其特征在于，对混合粉进行烧结得到钨烧结体，所述混合粉含有钨粉和三氧化钨粉，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。

2.根据权利要求1所述的阳极体的制造方法，钨粉含有选自硅、氧、氮、碳、硼和磷中的至少一种元素。

3.根据权利要求2所述的阳极体的制造方法，硅元素在钨粉表面的至少一部分以硅化钨形式存在。

4.根据权利要求2或3所述的阳极体的制造方法，钨粉中的硅元素的含量为0.05～7质量％。

5.根据权利要求2～4的任一项所述的阳极体的制造方法，钨粉中的氧元素含量为0.05～8质量％。

6.根据权利要求2～5的任一项所述的阳极体的制造方法，钨粉中的磷元素含量为1～500质量ppm。

7.根据权利要求1～5的任一项所述的阳极体的制造方法，阳极体中的氮元素的含量为0.01～0.5质量％。

8.根据权利要求1～6的任一项所述的阳极体的制造方法，阳极体中的碳元素的含量为0.001～0.1质量％。

9.根据权利要求1～7的任一项所述的阳极体的制造方法，阳极体中的硼元素的含量为0.001～0.1质量％。

10.根据权利要求2～4的任一项所述的阳极体的制造方法，进行使钨粉含有氮、碳和硼的至少一种元素的处理，以使得阳极体中的氮元素含量成为0.01～0.5质量％、碳元素含量成为0.001～0.1质量％、并且硼元素含量成为0.001～0.1质量％的任一范围。

11.根据权利要求1～10的任一项所述的阳极体的制造方法，阳极体中所含有的硅、氮、碳、硼、氧和磷以外的杂质元素量分别为1000质量ppm以下。

12.一种电容器元件的制造方法，其特征在于，采用权利要求1～11所述的方法形成阳极体，在所述阳极体的表面形成电介质层，并在所述电介质层上，进行发生聚合而成为导电性高分子的前躯体的聚合，形成半导体层，在所述半导体层上形成电极层。

13.一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的钨烧结体构成，并且所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。

14.一种电容器元件，具有权利要求13所述的阳极体。

15.一种电容器，具有权利要求14所述的电容器元件。