[发明专利]腔封装设计

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有电气轨迹的基底；

安装到所述基底上的MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个；和

具有连接到所述基底的第一端并且包括耦合到所述电气轨迹的电气互连的间隔件，并且所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个包含在所述间隔件内；

其中所述间隔件和基底形成包含所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个的腔，当所述半导体器件经由所述间隔件的第二端安装到电路板时，所述腔形成声学容积，所述第二端与所述第一端相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电气互连被嵌入所述间隔件中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括安装到所述间隔件的所述第二端上的盖。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述基底、所述间隔件和所述盖形成声学容积。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中当MEMS麦克风被安装在所述腔内时，所述半导体器件能够被测试而不需要将所述半导体器件安装到电路板。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔件的高度仅仅是覆盖MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个所需的那么大。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔件的高度仅仅是形成适当声学容积所需的那么大。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

产生具有多个电气轨迹的基底；

将MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个安装到基底上，所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个电耦合至所述多个电气轨迹；和

将间隔件的第一端安装到基底，所述间隔件包括多个电气互连，所述多个电气互连电耦合至所述多个电气轨迹；

其中所述基底和所述间隔件形成腔，所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个定位在所述腔内。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电气互连被嵌入所述间隔件中。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括将盖安装到间隔件的与所述第一端相反的第二端上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述基底、所述间隔件和所述盖形成声学容积。

12.根据权利要求11所述的方法，其中当MEMS麦克风被安装在所述腔内时，所述半导体器件能够被测试而不需要将所述半导体器件安装到电路板。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述间隔件的高度仅仅是覆盖MEMS裸晶与半导体芯片中的所述至少一个所需的那么大。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述间隔件的高度仅仅是形成适当声学容积所需的那么大。

15.根据权利要求8所述的方法，其中当所述半导体器件经由所述间隔件的与所述第一端相反的第二端安装到电路板时，MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个通过所述多个电气互连电耦合至电路板。