[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其具备：

半导体层叠体，其包含III族氮化物半导体，具有发光端面；以及

多层保护膜，其以覆盖所述半导体层叠体的所述发光端面的方式形成，具有多个绝缘性膜，

所述多层保护膜具有第一保护膜和覆盖该第一保护膜的第二保护膜，

所述第一保护膜包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜，

所述第二保护膜包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述多层保护膜具有覆盖所述第二保护膜的第三保护膜，

所述第三保护膜是非晶质的铝氧化物或非晶质的铝氮氧化物。

3.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述第三保护膜是非晶质的铝氧化物，

所述多层保护膜具有覆盖所述第三保护膜的第四保护膜，

所述第四保护膜是铝氮氧化物。

4.根据权利要求2或3所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述铝氮氧化物中的氮的组成比为23原子％以下。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述多层保护膜的最外层是包含所述第一保护膜和所述第二保护膜的层叠膜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述第一保护膜直接覆盖所述发光端面。