[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380018189.0 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104272469B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 裵道园 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 许向彤,陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池装置，包括：
支撑基板；
在所述支撑基板上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的多个缓冲层，所述缓冲层具有向上逐渐增加的能带隙；以及
在所述缓冲层上的窗口层，
其中，所述多个缓冲层的能带隙高于所述光吸收层的能带隙，
其中，所述缓冲层包括：
第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上的第二缓冲层；
在所述第二缓冲层的上高阻缓冲层，
其中，所述第一缓冲层的能带隙在1.5eV到2.6eV的范围内，
其中，所述第二缓冲层的能带隙在2.7eV到3.7eV的范围内，
其中，所述高阻缓冲层的能带隙高于所述第二缓冲层的能带隙，
其中，所述第一缓冲层的厚度在2nm到10nm的范围内，所述第二缓冲层的厚度在5nm到50nm的范围内，所述高阻缓冲层的厚度在50nm到60nm的范围内，其中，所述第一缓冲层的化学式为ZnSe，
其中，所述第二缓冲层的化学式为ZnS，
其中，所述高阻缓冲层的化学式为i-ZnO，所述高阻缓冲层没有掺杂杂质。
2.一种太阳能电池装置的制造方法，所述方法包括：
在支撑层上形成背电极层；
在所述背电极层上形成光吸收层；以及
形成多个缓冲层，所述缓冲层具有向上逐渐增加的能带隙，
其中，所述多个缓冲层的能带隙高于所述光吸收层的能带隙，
其中，所述缓冲层包括：
第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上的第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上的高阻缓冲层，
其中，所述第一缓冲层的能带隙在1.5eV到2.6eV的范围内，
其中，所述第二缓冲层的能带隙在2.7eV到3.7eV的范围内，
其中，所述高阻缓冲层的能带隙高于所述第二缓冲层的能带隙，
其中，所述第一缓冲层的厚度在2nm到10nm的范围内，所述第二缓冲层的厚度在5nm到50nm的范围内，所述高阻缓冲层的厚度在50nm到60nm的范围内，其中，所述第一缓冲层的化学式为ZnSe，
其中，所述第二缓冲层的化学式为ZnS，
其中，所述高阻缓冲层的化学式为i-ZnO，所述高阻缓冲层没有掺杂杂质。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述缓冲层包括：
在所述光吸收层上利用Zn溶液和Se溶液作为基础形成所述第一缓冲层；以及
在所述第一缓冲层上利用Zn溶液和S溶液作为基础形成化学式为ZnS的所述第二缓冲层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述缓冲层包括：
通过在所述光吸收层上形成富Se层之后再生长ZnS来形成ZnSe的所述第一缓冲层和ZnS的所述第二缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
