[发明专利]密封的半导体发光器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供发光半导体器件晶片，每一个发光半导体器件包括n型区、p型区、与n型区直接接触的第一金属接触和与p型区直接接触的第二金属接触；

在每一个发光半导体器件的第一接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第一金属层；

在每一个发光半导体器件的第二金属接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第二金属层；以及

将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片，支撑衬底晶片包括多个金属区，所述多个金属区形成在主体的表面上并且通过填充有环境气体的间隙分离，每一个间隙的底部包括不可被金属区润湿的表面。

2.权利要求1的方法，其中将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片包括将支撑衬底晶片上的多个金属区与发光半导体器件晶片上的第一和第二金属层对准。

3.权利要求2的方法，其中将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片还包括加热金属区以使得金属区回流。

4.权利要求3的方法，还包括通过形成在键合金属区被加热时键合金属将不润湿的材料的电气绝缘层来在第一和第二金属层之上模制电气绝缘层。

5.权利要求1的方法，其中在每一个发光半导体器件的第一接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第一金属层以及在每一个发光半导体器件的第二金属接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第二金属层包括在发光半导体器件晶片上镀第一和第二金属层。

6.权利要求1的方法，其中第一和第二金属层为至少50厚。

7.权利要求1的方法，其中在第一和第二金属层之上模制填充第一和第二金属层之间的空间的电气绝缘层包括：

将模具定位在发光半导体器件晶片之上；

用电气绝缘模制材料填充模具；以及

固化模制材料。

8.权利要求1的方法，还包括在将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片之后切分发光半导体器件晶片。

9.权利要求1的方法，还包括在将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片之后从发光半导体器件晶片移除生长衬底。

10.权利要求1的方法，还包括形成支撑衬底晶片，其中形成支撑衬底晶片包括：

提供主体；

在主体中蚀刻多个通孔，每一个通孔从主体的底表面朝向主体的顶表面延伸；以及

用金属装衬每一个通孔的侧壁和顶部。

11.权利要求10的方法，其中形成支撑衬底晶片还包括：

从主体的顶表面减薄主体以暴露每一个通孔顶部处的金属；

在主体的顶表面上形成键合金属区，其中键合金属区与每一个通孔顶部处的金属直接接触；以及

在主体的顶表面上形成电气绝缘层。

12.权利要求1的方法，还包括形成支撑衬底晶片，其中形成支撑衬底晶片包括：

提供主体；

在主体的顶表面上形成键合金属层；

在主体中蚀刻多个通孔，每一个通孔从主体的底表面朝向主体的顶表面延伸并且在形成于主体的顶表面上的键合金属层上终止。

13.权利要求1的方法，其中第二金属接触围绕第一金属接触。