[发明专利]施加临时粘合层的方法在审
| 申请号： | 201380018729.5 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104380457A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | J·布格拉夫 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 施加 临时 粘合 方法 | ||
1.在载体晶片(1)上面施加临时粘合层(2，2′，2″)以便通过熔融粘合或阳极粘合与产品晶片(4)临时粘合的方法，其包括下述步骤，尤其是下述流程：
-在所述载体晶片(1)上面施加适合于熔融粘合或阳极粘合的所述临时粘合层(2，2′，2″)和
-在施加过程中和/或之后修改所述临时粘合层(2，2′，2″)，使得所述临时粘合层(2，2′，2″)的临时连接是可分开的。
2.根据权利要求1所述的方法，在其中通过表面处理，尤其通过结构化和/或改变临时粘合层(2，2′，2″)的微结构进行修改。
3.根据权利要求1所述的方法，在其中实现通过CVD过程和/或PVD过程或电化分离的施加。
4.根据权利要求1所述的方法，在其中所述临时粘合层(2，2′，2″)由SiO2形成。
5.根据权利要求1所述的方法，在其中修改包括形成与载体晶片(1)平行贯穿临时粘合层(2，2′，2″)的槽(3)。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，为了修改临时粘合层(2，2′，2″)在通过CVD-方法施加临时粘合层(2，2′，2″)的情况下规定临时粘合层(2，2′，2″)的孔隙度并且在临时粘合层(2，2′，2″)的细孔中通过在CVD-方法过程中加载气体使气体进入细孔内。
7.根据权利要求1所述的方法，在其中在施加和更改之后通过熔融粘合以粘合力Fb实现载体晶片(1)与产品晶片(4)的临时粘合。
8.根据权利要求7所述的方法，在其中在临时粘合之后处理产品晶片和在处理期间和/或之后削弱临时粘合层(2，2′，2″)以便剥离产品晶片(4)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
