[发明专利]等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置

权利要求书

1.一种用于将特征经过光刻胶掩模形成到下伏层中的方法，所述光刻胶掩模具有图案化的掩模特征，所述方法包括：

提供含有H₂和N₂的处理气体；

由所述处理气体产生等离子体；

使所述光刻胶掩模暴露于所述等离子体；

中断所述处理气体；和

将所述特征经过经等离子体处理的光刻胶掩模蚀刻到所述下伏层中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体还含有氢氟烃。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氢氟烃是CH₃F。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，所述方法还包括：

控制所述处理气体中N₂相对于H₂的流量比，以便所述暴露过程减小所述掩模特征的线宽粗糙度(LWR)。

5.如权利要求4所述的方法，其中H₂与N₂(H₂:N₂)的流量比是在2:1和10:1之间。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，所述方法还包括：

控制所述处理气体中CH₃F相对于H₂的流量比，以便所述暴露过程减小所述掩模特征的间隔关键尺寸(CD)。

7.如权利要求6所述的方法，其中H₂与氢氟烃(H₂:CH₃F)的流量比是在10:1和100:1之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，并且所述暴露过程使所述光刻胶掩模能回流并且减小所述掩模特征的高度。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述暴露过程减小所述掩模特征的线宽粗糙度(LWR)。

10.如权利要求2所述的方法，其中所述暴露过程在所述掩模特征的侧壁上形成基于C-N的沉积物。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述暴露过程使所述光刻胶掩模硬化，从而增强在形成所述特征期间所述下伏层对蚀刻剂的抗性。

12.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，所述方法还包括：

控制所述处理气体中N₂相对于H₂的流量比，以便所述暴露过程减小所述掩模特征的线宽粗糙度(LWR)。

13.如权利要求1-3和12中任一项所述的方法，其中H₂与N₂(H₂:N₂)的流量比是在2:1和10:1之间。

14.如权利要求1-3和12-13中任一项所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，所述方法还包括：

控制所述处理气体中CH₃F相对于H₂的流量比，以便所述暴露过程减小所述掩模特征的间隔关键尺寸(CD)。

15.如权利要求3和12-14中任一项所述的方法，其中H₂与氢氟烃(H₂:CH₃F)的流量比是在10:1和100:1之间。

16.如权利要求1-3和12-15中任一项所述的方法，其中所述掩模特征包括线图案，并且所述暴露过程使所述光刻胶掩模能回流并且减小所述掩模特征的高度。

17.如权利要求1-3和12-16中任一项所述的方法，其中所述暴露过程减小所述掩模特征的线宽粗糙度(LWR)。

18.如权利要求1-3和12-17中任一项所述的方法，其中所述暴露过程在所述掩模特征的侧壁上形成基于C-N的沉积物。

19.如权利要求1-3和12-18中任一项所述的方法，其中所述暴露过程使所述光刻胶掩模硬化，从而增强在形成所述特征期间所述下伏层对蚀刻剂的抗性。