[发明专利]电容器的阳极体

说明书

技术领域

本发明涉及钨阳极体、其制造方法、以及具有所述阳极体的电容器。

背景技术

电解电容器，以导电体(阳极体)为一方的电极，由所述一方的电极、形成于该电极表层的电介质层和设置在该电介质层上的另一方的电极(半导体层)构成。作为这样的电容器，已提出了下述电解电容器：将由可进行阳极氧化的钽等的阀作用金属粉末的烧结体构成的电容器的阳极体进行阳极氧化，在该电极的细孔内层和外表层形成包含所述金属的氧化物的电介质层，在所述电介质层上进行半导体前驱体(导电性聚合物用的单体)的聚合，形成包含导电性高分子的半导体层，进而在半导体层上的规定部上形成电极层。

作为阀作用金属使用钨，以钨粉的烧结体为阳极体的电解电容器，与使用相同粒径的钽粉的相同体积的阳极体、在相同化学转化电压下得到的电解电容器相比，能够得到大的容量，但漏电流(LC)大，不能作为电解电容器供实际使用。为对此进行改良，研讨了使用钨与其它金属的合金的电容器，其漏电流虽然被少许改良但并不充分(日本特开2004-349658号公报(US6876083)；专利文献1)。

在专利文献2(日本特开2003-272959号公报)中，公开了使用形成有选自WO₃、W₂N、WN₂中的电介质层的钨箔的电极的电容器，但对于所述漏电流并没有解决。

并且，在专利文献3(国际公开第2004/055843号手册(US7154743))中，公开了使用选自钽、铌、钛、钨中的阳极的电解电容器，但在本说明书中没有记载使用钨的具体例。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2004-349658号公报

专利文献2：日本特开2003-272959号公报

专利文献3：国际公开第2004/055843号手册

发明内容

本发明的目的是提供一种使用钨阳极体的电容器中的漏电流(LC)少的阳极体。

本发明人鉴于上述课题认真研究的结果，发现通过使用含有特定量的锑元素或铋元素、或者锑元素和铋元素的钨烧结体作为阳极体，能够制作容量大、稳定(容量值的偏差小)、LC(漏电流)良好的电容器，从而完成了本发明。

即，本发明提供下述的电容器的阳极体、电容器、以及电容器的制造方法。

[1]一种电容器的钨阳极体，所述阳极体含有合计400～1200质量ppm的铋元素或锑元素。

[2]根据前项1所述的阳极体，阳极体是钨烧结体。

[3]根据前项1或2所述的阳极体，铋元素或锑元素的含量为350质量ppm以上。

[4]根据前项1～3的任一项所述的阳极体，在阳极体中还含有7质量％以下的硅元素。

[5]根据前项4所述的阳极体，硅元素作为硅化钨被含有。

[6]根据前项1～5的任一项所述的阳极体，阳极体中的氧元素的含量为8质量％以下。

[7]根据前项1～6的任一项所述的阳极体，阳极体中的氮元素的含量为0.5质量％以下。

[8]根据前项1～7的任一项所述的阳极体，除了铋、锑、硅、氧和氮以外的阳极体中的各种杂质元素的含量分别为0.1质量％以下。

[9]一种电容器，以前项1～8的任一项所述的阳极体为一方的电极，由所述一方的电极、对电极、以及介于所述一方的电极与所述对电极之间的电介质构成。

[10]一种阳极体的制造方法，是以将钨粉进行成形并烧结而得到的烧结体为阳极体的前项1～8的任一项所述的阳极体的制造方法，其特征在于，使用混合有铋粉和/或锑粉的钨粉，以使得阳极体中的铋元素和锑元素的总量成为400～1200质量ppm。

[11]根据前项10所述的阳极体的制造方法，将阳极体中的铋元素或锑元素的含量设为350质量ppm以上。

[12]根据前项10或11所述的阳极体的制造方法，使用还混合有硅粉的钨粉，以使得硅元素在阳极体中含有7质量％以下。

[13]根据前项10～12的任一项所述的阳极体的制造方法，钨粉的一部分或全部被造粒。

根据本发明，通过使用电容器的钨阳极体，且所述阳极体含有合计400～1200质量ppm的铋元素或锑元素，从而能够制造稳定(偏差小的)、容量大、且LC小的电容器。并且，如果使用含有硅的钨阳极体，则能够制造性能更好的电容器。

具体实施方式