[发明专利]氧化物烧结体和使用其的配线基板有效
申请号: | 201380019005.2 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN104220399A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 小塚久司;菱田智子;山田嗣人;大林和重 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;H05K1/09 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 烧结 使用 配线基板 | ||
技术领域
本发明涉及包含钙钛矿相的氧化物烧结体,和使用其的配线基板。
背景技术
许多陶瓷制品由作为功能和结构构件的陶瓷部,和由金属制成的电极部构成。此类陶瓷制品和电极部的组合的实例包括堆叠的陶瓷电容器(Ni、Pd、Pt电极),LTCC组件(Ag、Cu、Ag-Pd电极),压电致动器(Pd电极),半导体封装体(W电极)和火花塞(Ir、Pt电极)。
然而,Ni、Cu和W与陶瓷部的烧制需要气氛控制,这使得难以获得陶瓷部的预期的性能。另一问题为高制造成本。另一方面,由于Ag的熔点低(962℃),所以适用的陶瓷的类型变得局限,此外,低温烧制可能损害陶瓷性质。此外,如Pd、Ir和Pt等贵金属材料是昂贵的,因此,不容易适用于需要大面积的电极。
同时,作为陶瓷部中使用的氧化物的实例,已知具有在常温下显示高电阻值并且其中电阻值随着温度的上升而减小的负电阻温度特性的镧钴系氧化物(专利文献1和2)。此外,专利文献2的导电性氧化物在室温附近具有高电阻值,此外,在室温附近具有梯度小的B常数,并且在高温下具有梯度大的B常数。
引文列表
专利文献
专利文献1:JP-B2-3286906
专利文献2:JP-A-2002-87882
发明内容
发明要解决的问题
同时,由于当通过金属形成陶瓷制品的电极部时发生上述各种问题,本发明人想到将氧化物(陶瓷)用于电极部。然而,难以用氧化物取代金属,因为与金属相比常规的氧化物具有较低的电导率和较大的B常数(温度系数)。此处,虽然已知钌系氧化物(如,RuO2和SrRuO3)具有高电导率,但存在Ru昂贵的问题。
因此,本发明的目的是提供具有高电导率和小B常数(温度系数)并且适合用作导电性材料的氧化物烧结体,和使用所述氧化物烧结体的配线基板。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题,本发明的氧化物烧结体的特征在于:
氧化物烧结体由组成式:REaCobNicOx(其中,RE表示稀土类元素,a+b+c=1和1.3≤x≤1.7)来表示;
氧化物烧结体包含具有钙钛矿型氧化物晶体结构的钙钛矿相;和
a、b和c满足以下关系:
0.459≤a≤0.535,
0.200≤b≤0.475,和
0.025≤c≤0.300。
对于此类氧化物烧结体,可通过改变三价Co与二价Ni的比例来控制电导率和B常数(电导率的温度系数)。此外,通过将a、b和c设定在上述范围内可将电导率控制为高并且可将B常数(温度系数)控制为低。对于上述组成式,氧化物烧结体的通过使用直流四端子法测量的在25℃下的电导率变为3.0S/cm以上,并且在25℃-870℃下B常数(电导率的温度系数)变为2500K以下,由此氧化物烧结体可具有适合作为导电性材料的性质。此外,通过将a、b和c设定在上述范围内,在将温度从室温改变至1000℃时的热膨胀系数可减小至2.0×10-5K-1以下,并且当氧化物烧结体作为导电性材料形成于基体或基板上时,存在氧化物烧结体的热膨胀系数可容易与基体或基板的材料的热膨胀系数相匹配的优点。此外,可获得适合在高温环境下使用的氧化物烧结体。
优选RE为La。
在该构成的情况下,可获得具有有效地高的电导率和小的B常数的氧化物烧结体。
优选a、b和c满足以下关系:
0.474≤a≤0.524,
0.200≤b≤0.475,和
0.025≤c≤0.300。
在该构成的情况下,可获得具有致密结构的氧化物烧结体。
优选RE为La,以及b和c满足以下关系:
0.200≤b≤0.375,和
0.125≤c≤0.300。
根据此类氧化物烧结体,在25℃下的电导率变为250S/cm以上并且B常数变为600K以下,即,电导率变得更高并且B常数变得更小。此外,在此类氧化物烧结体中,可以使热膨胀系数甚至小至1.6×10-5K-1以下。
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