[发明专利]陶瓷材料和包括陶瓷材料的电容器

权利要求书

1.一种用于多层工艺中的电容器的陶瓷材料，所述陶瓷材料的通式为：Pb_{(1-1.5a-0.5b+1.5d+e+0.5f)}A_aB_b(Zr_1-xTi_x)_(1-c-d-e-f)Li_dC_eFe_fSi_cO₃+y·PbO(I)，

其中：

A选自：La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Yb；

B选自Na、K和Ag；

C选自Ni、Cu、Co和Mn；并且

0<a<0.12；

0.1≤x<0.2；

0.001<b<0.12；

0≤c<0.12；

0≤d<0,12；

0≤e<0.12,

0≤f<0.12,

0≤y<1。

2.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中0.1<x<0.2。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中d＝e＝f＝0。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中0.001<e<0.12。

5.根据权利要求4所述的陶瓷材料，其中d＝f＝0。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中B是Na。

7.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中在电场强度为1kV/mm的情况下的相对电容率为在电场强度为0kV/mm的情况下的相对电容率的至少60％。

8.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中在电场强度为2kV/mm的情况下的相对电容率为在电场强度为0kV/mm的情况下的相对电容率的至少60％。

9.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中在电场强度为2至5kV/mm的情况下的相对电容率是在电场强度为0kV/mm的情况下的相对电容率的至少60％。

10.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中在电场强度为1kV/mm至10kV/mm的情况下的相对电容率是在电场强度为0kV/mm的情况下的相对电容率的至少60％。

11.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为1kV/mm的情况下具有至少为500的相对电容率。

12.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为1kV/mm的情况下具有至少为1500的相对电容率。

13.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为2kV/mm的情况下具有至少为500的相对电容率。

14.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为2kV/mm的情况下具有至少为1500的相对电容率。

15.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为2至5kV/mm的情况下具有至少为500的相对电容率。

16.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为2至5kV/mm的情况下具有至少为1500的相对电容率。

17.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为1kV/mm至10kV/mm的情况下具有至少为500的相对电容率。

18.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在电场强度为1kV/mm至10kV/mm的情况下具有至少为1500的相对电容率。

19.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料是反铁电的介电质。

20.一种电容器，包括：

-至少一个由根据权利要求1至19中任一项所述的陶瓷材料构成的陶瓷层；和

-导电电极，所述导电电极在至少一个所述陶瓷层上形成。

21.根据权利要求20所述的电容器，其中所述导电电极设置在相邻的陶瓷层之间。