[发明专利]形成具有CuInSe₂和Cu(In,Ga)Se₂膜的太阳能电池的系统和方法在审

申请号：	201380019485.2	申请日：	2013-02-27
公开（公告）号：	CN104254923A	公开（公告）日：	2014-12-31
发明（设计）人：	D·S·艾尔宾;M·罗梅洛;N·弗拉;S·C·基梅内斯;J·M·古铁雷斯;E·S·科特从	申请（专利权）人：	可持续能源联合有限责任公司;阿文戈亚太阳能新技术股份有限公司
主分类号：	H01L31/0272	分类号：	H01L31/0272
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	王海宁
地址：	美国科***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	形成具有 cuinse sub cu in ga se 太阳能电池系统方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.薄膜沉积系统(100，200)，该系统包括：

至少一个供给线(120、224、244、264)，其设置成向基底表面(114、210、230、250)上传输硒蒸气；

一个或多个注入器(142、222、242、262)，其设置成通过注入包含氯化铜流的第一反应物气体向基底表面(114、210、230、250)质量传输铜，和通过注入包含氯化铟流的第二反应物气体向基底表面(114、210、230、250)进一步质量传输铟；

加热器(112)，其设置成加热所述基底表面(114、210、230、250)；

其中该系统适于限制在所述氯化铜到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铜之间的反应；和

其中该系统适于限制在所述氯化铟到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铟之间的反应。

2.权利要求1的系统，所述一个或多个注入器(142、222、242、262)包括：

至少一个第一蒸气注入器(242)，其设置成注入包含所述氯化铜流的第一反应物气体；

至少一个第二蒸气注入器(222、262)，其设置成注入包含所述氯化铟流的第二反应物气体。

3.权利要求2的系统，所述一个或多个注入器(142、222、242、262)包括：至少一个注入器(246)，其适于通过在硒流和所述第一反应物气体之间注入惰性气体(247)以调节在所述氯化铜到达所述基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铜之间的反应的速率。

4.权利要求2或3的系统，所述一个或多个注入器(142、222、242、262)包括：至少一个注入器(226、266)，其适于通过在硒流和所述第二反应物气体之间注入惰性气体(222、267)以调节在所述第二反应物气体到达所述基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述第二反应物之间的反应的速率。

5.权利要求1的系统，所述一个或多个注入器(142、222、242、262)包括：单一注入器(142)，其设置成依次注入所述第一反应物气体和所述第二反应物气体。

6.权利要求1、2或5的系统，其中所述第二反应物气体还包含氯化镓流。

7.权利要求6的系统，还包括预混合室(140)，其中所述预混合室(140)与供给氯化铟的源(146)以及供给氯化镓的源(152)连接，并且还与所述一个或多个注入器(142、222、242、262)连接。

8.权利要求1或2的系统，还包括：

第一沉积站(220)；

第二沉积站(240)；和

第三沉积站(260)；

其中所述系统设置成在所述系统内在所述第一沉积站、所述第二沉积站和所述第三沉积站(204、206、208)之间移动所述基底；

其中所述至少一个供给线(120、224、244、264)在所述第一沉积站(220)、所述第二沉积站(240)和所述第三沉积站(260)处将所述硒蒸气的超压供给至所述基底表面(114、210、230、250)；

其中所述一个或多个注入器(142、222、242、262)将所述第二反应物气体供给至所述第一沉积站(220)和所述第三沉积站(260)；和

其中所述一个或多个注入器(142、222、242、262)将所述第一反应物气体供给至所述第二沉积站(240)。

9.权利要求1、2或8的系统，还包括：