[发明专利]结合气相和湿化学方法而进行的化学反应

权利要求书

1.用于实施化学反应的装置，该装置包括：含有气体的真空室，以及用于进料液体喷射流到真空室并穿过该气体的进料机构，其中在使用中，气体的原子和/或分子和/或原子离子和/或分子离子与彼此反应，和/或与液体喷射流的原子和/或分子反应，以由此形成反应产物。

2.用于实施化学反应的方法，该方法包括：

(i)在真空室中提供包含原子和/或分子和/或原子离子和/或分子离子的气体；

(ii)进料包含原子和/或分子的液体喷射流到所述真空室并穿过所述气体；以及

(iii)允许所述气体的原子和/或分子和/或原子离子和/或分子离子与彼此反应，和/或与液体喷射流的原子和/或分子反应，以在真空中形成反应产物。

3.如权利要求1所述的装置或如权利要求2所述的方法，其中所述真空室是标准真空室。

4.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述真空室压力介于约10^-12和1mbar之间。

5.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述气体为在真空室中的蒸气或等离子体的形式。

6.如权利要求5所述的装置或方法，其中所述蒸气是金属蒸气、半导体蒸气、分子蒸气或簇蒸气，或所述等离子体是电子等离子体、离子等离子体或离子蒸气。

7.如权利要求6所述的装置或方法，其中所述金属蒸气包含如下物质或由如下物质形成：过渡金属、镧系金属或贵金属。

8.如权利要求6所述的装置或方法，其中所述半导体蒸气包含如下物质或由如下物质形成：IV族元素、与V族元素反应的III族元素、或与VI族元素反应的II族元素。

9.如权利要求8所述的装置或方法，其中所述半导体蒸气包含如下物质或由如下物质形成：碳、硅、锗、锡、铅、BN、BP、AlN、GaN、GaP、GaSb、InN、InP、ZnO、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe或CdTe。

10.如权利要求6所述的装置或方法，其中所述分子蒸气包含如下物质或由如下物质形成：O₂、N₂、CO、CO₂、H₂O、NaCl、Mg₂O₂或Al₂O₃。

11.如权利要求6所述的装置或方法，其中所述簇蒸气包含如下物质或由如下物质形成：金属簇、例如Fe_n或Ag_n，或半导体簇、例如Si_n、(GaAs)_n或(CdS)_n，这些物质在另一工艺中预先形成。

12.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述气体或蒸气通过加热、激光消融、溅射、电弧或放电产生。

13.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述液体喷射流包含如下物质或由如下物质形成：极性或非极性溶剂。

14.如权利要求13中所述的装置或方法，其中所述溶剂包括水、乙酸、戊烷、己烷、庚烷、环己烷、甲醇、异丙醇、正丙醇、乙醇、二氯甲烷、乙腈、二甲基亚砜、甲苯、氯仿、吡啶、苯、氢、氮、氦、氖、氩、氪或氙。

15.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述液体喷射流的静压为最高约200bar。

16.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中所述液体喷射流包含溶液或悬浮液。

17.如前述权利要求任一项所述的装置或方法，其中同时进料一种或多种传递不同化学品的液体喷射流或气体至所述真空室。