[发明专利]具有控制栅极电压的数字‑模拟转换器有效
申请号: | 201380019607.8 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104247270B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | R·迈克拉克兰;A·古塔;F·J·唐尼 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 控制 栅极 电压 数字 模拟 转换器 | ||
1.一种数字-模拟转换器,包括:
电阻腿,被可切换地连接到通过第一n沟道MOSFET的第一电压参考和通过第一p沟道MOSFET的第二电压参考之一;和
发生器电路,包括:
第一子电路,用于产生第一驱动电压;和
第二子电路,用于a)由偏置电压偏置所述第一驱动电压以产生第二驱动电压,以及b)将第二驱动电压施加到第一n沟道MOSFET和第一p沟道MOSFET之一的栅极。
2.如权利要求1所述的数字-模拟转换器,其中在用于产生第一驱动电压的第一子电路中,所述偏置电压正比于MOS设备的漏极到源极电压。
3.如权利要求1所述的数字-模拟转换器,其中所述第一子电路包括:
第二n沟道MOSFET;
第二p沟道MOSFET;和
第一运算放大器,所述第一运算放大器包括:
第一输入端,被耦合到第一电阻器的第一端和第二电阻器的第一端,所述第一电阻器和第二电阻器中的每一个的第二端分别串联耦合到第二n沟道MOSFET的漏极和第二p沟道MOSFET的漏极之一,第二n沟道MOSFET的源极和第二p沟道MOSFET的源极分别耦合到所述第一电压参考和第二电压参考,第二p沟道MOSFET的栅极被耦合到所述第一电压参考;
第二输入端,被耦合到第三电阻器的第一端和具有相等电阻的第四电阻器的第一端,第三电阻器和第四电阻器中的每一个的第二端分别耦合到所述第一电压参考和第二电压参考;和
输出端,耦合到第二n沟道MOSFET的栅极并输出第一驱动电压。
4.如权利要求3所述的数字-模拟转换器,其中所述第二子电路包括:
第三n沟道MOSFET,包括耦合到第五电阻器的第一端的漏极,第五电阻器的第二端耦合到所述第一运算放大器的输出端;和
第二运算放大器,包括:
第一输入端,被耦合到所述第二n沟道MOSFET的漏极;
第二输入端,被耦合到所述第三n沟道MOSFET的源极和第六电阻器的第一端,第六电阻器的第二端通过串联连接的第七电阻器耦合到第一电压参考;
输出端,被耦合到所述第三n沟道MOSFET的栅极。
5.如权利要求4所述的数字-模拟转换器,其中,所述第三n沟道MOSFET的漏极耦合到所述第一n沟道MOSFET的栅极,用于提供第二驱动电压,以及第六和第七电阻的公共结点耦合到用于供给偏置电压的第一p沟道MOSFET的栅极。
6.如权利要求5所述的数字-模拟转换器,其中,所述第一电阻器和第二电阻器具有基本相等的电阻值;所述第三和第四电阻器具有基本相等的电阻值;以及第五、第六和第七电阻器具有基本相等的电阻值。
7.如权利要求6所述的数字-模拟转换器,其中,所述偏置电压基本上等于从第二n沟道MOSFET的漏极到源极的电压的二分之一。
8.如权利要求1所述的数字-模拟转换器,其中,所述第一电压参考是接地参考,而所述第二电压参考对应于数字位。
9.如权利要求8所述的数字-模拟转换器,其中,所述数字位是将转换成模拟输出的数字编码的最高有效位。
10.一种用于数字-模拟转换器的发生器电路,包括:
第一子电路,用于产生第一驱动电压;和
第二子电路,用于a)由偏置电压偏置所述第一驱动电压以产生第二驱动电压,以及b)提供第二驱动电压施加到第一n沟道MOSFET和第一p沟道MOSFET之一的栅极。
11.如权利要求10所述的发生器电路,其中所述数模转换器包括:
电阻腿,被可切换地连接到经由第一n沟道MOSFET的第一电压参考以及经由所述第一p沟道MOSFET的第二电压参考中的一个。
12.如权利要求11所述的发生器电路,其中在用于产生第一驱动电压的第一子电路中,所述偏置电压正比于MOS设备的漏极到源极电压。
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