[发明专利]用于形成气密阻挡层的溅射靶和相关溅射方法无效

专利信息
申请号: 201380020090.4 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN104379799A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: B·G·艾特肯;S·E·科瓦;M·A·凯斯达 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08;H01J37/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 形成 气密 阻挡 溅射 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种溅射靶,其包含选自下组的溅射材料:低Tg玻璃、低Tg玻璃的前体以及铜或锡的氧化物。

2.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述溅射材料形成在导热性背衬板上。

3.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体包含选自下组的材料:磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃和硫属化物玻璃。

4.如权利要求3所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体还包含掺杂剂。

5.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体包含选自下组的材料:磷酸锡、氟磷酸锡和氟硼酸锡。

6.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体的组成包括:

20-100摩尔%的SnO;

0-50摩尔%的SnF2;以及

0-30摩尔%的P2O5或B2O3

7.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体的组成包括:

35-50摩尔%的SnO,

30-40摩尔%的SnF2

15-25摩尔%的P2O5或B2O3;以及

1.5-3摩尔%的至少一种掺杂剂氧化物,其选自:WO3、CeO2和Nb2O5

8.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物包括CuO。

9.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,锡氧化物包括SnO。

10.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物或锡氧化物是无定形的。

11.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物或锡氧化物是晶体。

12.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述溅射材料包括低Tg玻璃前体或者铜或锡氧化物的压制粉末。

13.一种形成包含低Tg玻璃材料的溅射靶的方法,所述方法包括:

提供原材料粉末混合物;

将粉末混合物加热至形成熔融低Tg玻璃;以及

将玻璃熔体成形为固体溅射靶。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述成形包括将玻璃熔体倒在背衬板的表面上。

15.一种形成溅射靶的方法,所述方法包括:

提供原材料粉末混合物;以及

将混合物压制成固体溅射靶,其中所述粉末混合物包含CuO、SnO或者低Tg玻璃前体组合物,所述低Tg玻璃前体组合物选自下组:磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃和硫属化物玻璃。

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