[发明专利]用于形成气密阻挡层的溅射靶和相关溅射方法无效
申请号: | 201380020090.4 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104379799A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | B·G·艾特肯;S·E·科瓦;M·A·凯斯达 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08;H01J37/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 气密 阻挡 溅射 相关 方法 | ||
1.一种溅射靶,其包含选自下组的溅射材料:低Tg玻璃、低Tg玻璃的前体以及铜或锡的氧化物。
2.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述溅射材料形成在导热性背衬板上。
3.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体包含选自下组的材料:磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃和硫属化物玻璃。
4.如权利要求3所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体还包含掺杂剂。
5.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体包含选自下组的材料:磷酸锡、氟磷酸锡和氟硼酸锡。
6.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体的组成包括:
20-100摩尔%的SnO;
0-50摩尔%的SnF2;以及
0-30摩尔%的P2O5或B2O3。
7.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,低Tg玻璃或者低Tg玻璃前体的组成包括:
35-50摩尔%的SnO,
30-40摩尔%的SnF2,
15-25摩尔%的P2O5或B2O3;以及
1.5-3摩尔%的至少一种掺杂剂氧化物,其选自:WO3、CeO2和Nb2O5。
8.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物包括CuO。
9.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,锡氧化物包括SnO。
10.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物或锡氧化物是无定形的。
11.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,铜氧化物或锡氧化物是晶体。
12.如权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述溅射材料包括低Tg玻璃前体或者铜或锡氧化物的压制粉末。
13.一种形成包含低Tg玻璃材料的溅射靶的方法,所述方法包括:
提供原材料粉末混合物;
将粉末混合物加热至形成熔融低Tg玻璃;以及
将玻璃熔体成形为固体溅射靶。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述成形包括将玻璃熔体倒在背衬板的表面上。
15.一种形成溅射靶的方法,所述方法包括:
提供原材料粉末混合物;以及
将混合物压制成固体溅射靶,其中所述粉末混合物包含CuO、SnO或者低Tg玻璃前体组合物,所述低Tg玻璃前体组合物选自下组:磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃和硫属化物玻璃。
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