[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置有效

专利信息
申请号: 201380020850.1 申请日: 2013-04-11
公开(公告)号: CN104247076B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 濑尾哲史;濑尾广美;下垣智子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 童春媛,庞立志
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 电子设备 以及 照明
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包括:

空穴传输层;以及

所述空穴传输层上的发光层,

其中,所述发光层包括具有电子传输性的第一有机化合物、具有空穴传输性的第二有机化合物以及将三重激发态能转换成发光的第三有机化合物,

所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的组合形成激基复合物,

并且,所述空穴传输层包括所述第二有机化合物以及具有空穴传输性的第五有机化合物。

2.根据权利要求1所述的发光元件,其中所述空穴传输层包括其T1能级高于所述第一有机化合物的T1能级的第四有机化合物。

3.根据权利要求1所述的发光元件,其中所述空穴传输层包括其T1能级高于所述第二有机化合物的T1能级的第四有机化合物。

4.根据权利要求1所述的发光元件,

其中所述第一有机化合物是缺π电子型杂芳族化合物,

所述第二有机化合物是富π电子型杂芳族化合物或芳族胺化合物,

并且所述第三有机化合物是磷光有机金属配合物。

5.一种包括根据权利要求1所述的发光元件的发光装置。

6.一种包括根据权利要求5所述的发光装置的电子设备。

7.一种包括根据权利要求5所述的发光装置的照明装置。

8.一种发光元件,包括:

空穴注入层;

所述空穴注入层上的空穴传输层;

所述空穴传输层上的发光层;

所述发光层上的电子传输层;以及

所述电子传输层上的电子注入层,

其中,所述发光层包括具有电子传输性的第一有机化合物、具有空穴传输性的第二有机化合物以及将三重激发态能转换成发光的第三有机化合物,

所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的组合形成激基复合物,

并且,所述空穴传输层包括所述第二有机化合物以及具有空穴传输性的第五有机化合物。

9.根据权利要求8所述的发光元件,其中所述空穴传输层包括其T1能级高于所述第一有机化合物的T1能级的第四有机化合物。

10.根据权利要求8所述的发光元件,其中所述空穴传输层包括其T1能级高于所述第二有机化合物的T1能级的第四有机化合物。

11.根据权利要求8所述的发光元件,

其中所述第一有机化合物是缺π电子型杂芳族化合物,

所述第二有机化合物是富π电子型杂芳族化合物或芳族胺化合物,

并且所述第三有机化合物是磷光有机金属配合物。

12.一种包括根据权利要求8所述的发光元件的发光装置。

13.一种包括根据权利要求12所述的发光装置的电子设备。

14.一种包括根据权利要求12所述的发光装置的照明装置。

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