[发明专利]偏振片的制造方法在审
申请号: | 201380021480.3 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN104254791A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 笠原睦美 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C08J7/00;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种偏振片的制造方法。更详细而言,涉及一种经薄膜化的偏振片的制造方法。
背景技术
近年来,液晶显示器及利用有机电致发光的薄型显示器的市场正迅速扩大。特别是称为智能手机及Pad的中小型移动设备市场的扩大显著。
中小型移动设备在提高显示图像的对比度的同时,要求设备的薄型化、轻量化。因此,构成显示装置的各部件的薄壁化成为较大的课题。
作为解决上述课题的方法之一,期望对作为构成部件的偏振片进行薄膜化,要求作为偏振片的构成要素的偏振膜及偏振膜保护膜的薄膜化。
针对该要求,作为偏振膜的薄膜化,公开有通过在基体材料上涂布亲水性高分子并拉伸、染色,然后剥离基体材料来制造薄膜的偏振膜的方法(例如参照专利文献1及2)。根据专利文献1及2中记载的方法,认为现有的拉伸聚乙烯醇系膜并染色的偏振膜的薄膜化存在界限,相对于厚度超过20μm,可以得到10μm以下的超薄膜的偏振膜。
另一方面,作为偏振片保护膜,已知有纤维素酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃聚合物(COP)、聚碳酸酯(PC)等热塑性树脂膜。
其中,作为热塑性树脂膜的纤维素酯膜通过其适度的透湿性顺利地进行与偏振膜的粘接·干燥,比其它的热塑性树脂膜更广泛使用。
然而,由于纤维素酯自身显示疏水性,因此,在与偏振膜的粘接工序前,需要亲水化处理,作为亲水化处理,最广泛使用碱皂化处理。碱皂化处理由于使用高温·高浓度的碱水溶液,因此,存在由于进行碱皂化而使膜的一部分在碱皂化液中溶出,膜的强度(刚性)消失这样的问题点。特别是从所述薄膜化的期望考虑,如果将纤维素酯膜薄膜化至40μm以下,则存在如下问题:所述高温·高浓度的碱皂化处理时膜的强度(刚性)消失,在经由粘接剂与薄膜化至上述10μm以下的偏振膜贴合时,褶皱(皱纹)及翘曲的产生显著,成品率下降。
因此,期望代替碱皂化处理的表面亲水化处理,以往研究有例如电晕处理·等离子体处理等(例如参照专利文献3及4)。
然而,上述公开的方法为对厚膜的纤维素酯膜赋予亲水性的技术,如果对期望的40μm以下的薄膜的纤维素酯膜赋予充分的亲水性,则存在以下问题:发现膜的强度(刚性)随着膜的热分解而下降,在偏振片制造时产生褶皱及翘曲,另外,在面板贴合时产生翘曲及变形所致的气泡,进而,雾度随着膜的热分解而上升,伴随该雾度上升,液晶显示装置中的正面对比度下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-100161号公报
专利文献2:日本专利4815544号公报
专利文献3:日本特开2000-356714号公报
专利文献4:日本特开2002-82226号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是鉴于上述问题·状况而完成的,其要解决的技术问题在于,提供一种经薄膜化的偏振片的制造方法,该方法可以获得薄膜偏振膜和薄膜保护膜之间优异的粘接性,在制造偏振片时不会产生褶皱及翘曲,在贴合面板时不会由于翘曲及变形产生气泡,不会发生雾度上升以及随之而来的液晶显示装置的正面对比度下降。
用于解决技术问题的技术方案
本发明人为了解决上述技术问题对上述问题的原因等进行了研究,在该过程中,发现通过一种偏振片的制造方法,通过该方法,在制造偏振片时不会产生褶皱及翘曲,在贴合面板时不会由于翘曲及变形而产生气泡,得到不会发生雾度上升以及随之而来的液晶显示装置的正面对比度下降的经薄膜化的偏振片,所述偏振片的制造方法包括将偏振膜(A)与纤维素酯膜(B)的经亲水化处理后的面叠层在一起,所述偏振膜(A)包括用二色性物质染色的亲水性高分子层,其中,该纤维素酯膜(B)用等离子体处理或电晕处理中的任一者进行亲水化处理,且具有特定的表面自由能。
即,本发明的上述课题可通过以下的技术方案解决。
1.一种偏振片的制造方法,该方法包括将偏振膜(A)和纤维素酯膜(B)经由粘接剂叠层在一起,所述纤维素酯膜(B)经由粘接剂叠层于该偏振膜(A)的至少一面,所述偏振膜(A)具有用二色性物质染色的亲水性高分子层,
其中,该纤维素酯膜(B)通过等离子体处理或电晕处理的任一处理进行了亲水化处理,该纤维素酯膜(B)在亲水化处理前的表面自由能满足下述式(SI),且该纤维素酯膜(B)在亲水化处理后的表面自由能满足下述式(SII),
式(SI):0.25≤γsh/γsp<1.5
式(SII):1.5≤γsh/γsp≤4.0
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