[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物，

该基板处理装置包括：

处理容器，其划分出空间；

隔板，其配置于所述处理容器内，将所述空间分隔为等离子体生成空间及基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过；

等离子体源，其用于在所述等离子体生成空间生成等离子体；

载置台，其配置于所述基板处理空间，用于载置所述被处理基体；

第1处理气体供给部，其用于向所述等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于所述等离子体而离解，生成自由基；

第2处理气体供给部，其用于向所述基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于所述等离子体地与所述反应生成物发生反应，

其中，为了通过所述自由基和所述第2处理气体之间的相互作用来除去所述反应生成物，所述第1处理气体供给部在所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体之前、或者与所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体同时地，向所述等离子体生成空间供给所述第1处理气体以从所述等离子体生成空间向所述基板处理空间供给所述自由基。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置还包括排气部，该排气部设于所述基板处理空间，用于对所述处理容器的空间进行减压。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述隔板由至少两个板状构件构成，

两个所述板状构件从所述等离子体生成空间朝向所述基板处理空间重叠地配置，

各板状构件具有在重叠方向上贯通的多个贯通孔，

沿重叠方向观察，一个所述板状构件上的各贯通孔与另一个所述板状构件上的各贯通孔不重叠。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述自由基为能够引起还原反应、氧化反应、氯化反应或者氟化反应的自由基。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述第1处理气体为含有氢元素、氧元素、氯元素或者氟元素的气体。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述第2处理气体含有与所述反应生成物的反应依赖于所述载置台的温度的气体。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

所述第2处理气体含有电子给予性气体。

8.根据权利要求1、2、7中的任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第1处理气体供给部与所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体同时地，向所述等离子体生成空间供给所述第1处理气体以从所述等离子体生成空间向所述基板处理空间供给所述自由基。

9.一种基板处理方法，其是使用基板处理装置来处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物的基板处理方法，

所述基板处理装置包括：

处理容器，其划分出空间；

隔板，其配置于所述处理容器内，将所述空间分隔为等离子体生成空间及基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过；

等离子体源，其用于在所述等离子体生成空间生成等离子体；

载置台，其配置于所述基板处理空间，用于载置所述被处理基体；

第1处理气体供给部，其用于向所述等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于所述等离子体而离解，生成自由基；

第2处理气体供给部，其用于向所述基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于所述等离子体地与所述反应生成物发生反应，

所述基板处理方法包括：

第1处理步骤，在该步骤中，从所述第1处理气体供给部向生成有等离子体的所述等离子体生成空间供给所述第1处理气体，生成自由基，将该自由基供给到所述基板处理空间而与所述反应生成物发生反应；

第2处理步骤，在该步骤中，从所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体，使所述第2处理气体与所述反应生成物发生反应，

其中，为了通过所述自由基和所述第2处理气体之间的相互作用来除去所述反应生成物，所述第1处理步骤在所述第2处理步骤之前实施，或者所述第1处理步骤与所述第2处理步骤同时实施。