[发明专利]图像传感器以及用于图像传感器的控制方法有效

专利信息
申请号: 201380021833.X 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN104247404B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 冈本晃一;吉川玲;海老原弘知 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N9/07
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 周少杰,张贵东
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 图像传感器 以及 用于 控制 方法
【说明书】:

技术领域

本技术涉及图像传感器以及用于图像传感器的控制方法,尤其涉及能够与在图像传感器中是否共享多种颜色的像素无关,不增加像素的电路地测量每种颜色的照度(illuminance)的图像传感器以及用于图像传感器的控制方法。

背景技术

作为检测环境光和不增加像素的电路地测量照度的图像传感器,例如,存在在专利文献1中提出的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

引用列表

专利文献

专利文献1:已公开日本专利申请第2002-33881号。

发明内容

本发明要解决的问题

在公开在专利文献1中的CMOS图像传感器中,当共享多种颜色的像素时,难以测量每种颜色的照度。

本技术就是考虑到上面的情况作出的,希望与在图像传感器中是否共享多种颜色的像素无关,不增加像素的电路地测量每种颜色的照度。

问题的解决方案

按照本技术的一个方面的图像传感器是包括多个像素单元的图像传感器,每个像素单元包括像素和复位晶体管,其中该像素包括对通过滤色片入射的特定颜色的光进行光电转换的光电转换单元、和转移通过该光电转换单元的光电转换获得的电荷并且对于每种颜色可控的转移晶体管,该复位晶体管与进行模拟到数字(AD)转换的AD转换单元连接,并使电荷复位,以及按照该转移晶体管的控制,通过该转移晶体管和该复位晶体管从该光电转换单元中读取电荷,并将与该电荷相对应的电压供应给与该复位晶体管连接的AD转换单元。

按照本技术的一个方面的控制方法是用于包括多个像素单元的图像传感器的控制方法,每个像素单元包括像素和复位晶体管,其中该像素包括对通过滤色片入射的特定颜色的光进行光电转换的光电转换单元、和转移通过该光电转换单元的光电转换获得的电荷并且对于每种颜色可控的转移晶体管,以及该复位晶体管与进行模拟到数字(AD)转换的AD转换单元连接,并使电荷复位,以及该控制方法包括按照该转移晶体管的控制,通过该转移晶体管和该复位晶体管从该光电转换单元中读取电荷,并将与该电荷相对应的电压供应给与该复位晶体管连接的AD转换单元。

在本技术的一个方面中,像素单元包括像素和使电荷复位的复位晶体管,并且该像素包括对通过滤色片入射的特定颜色的光进行光电转换的光电转换单元、和对于每种颜色可控的转移晶体管。该复位晶体管与进行AD转换的AD转换单元连接。进一步,按照该转移晶体管的控制,通过该转移晶体管和该复位晶体管从该光电转换单元中读取电荷,并将与该电荷相对应的电压供应给与该复位晶体管连接的AD转换单元。

该图像传感器可以是独立器件或可以是构成单个器件的内部块。

发明效果

按照本技术的一个方面,可以在图像传感器中测量每种颜色的照度。尤其,可以与在图像传感器中是否共享多种颜色的像素无关,不增加像素的电路地测量每种颜色的照度。

附图说明

图1是例示按照本技术实施例的图像传感器的示范性配置的框图;

图2是例示像素单元11m,n的示范性配置的电路图。

图3是例示像素单元11m,n在成像模式下的状态的图形。

图4是例示像素单元11m,n在照度计模式下的状态的图形。

图5是例示转换控制单元31的示范性配置的框图。

图6是描述图像传感器在照度计模式下的操作的时序图。

图7是例示在照度计模式下获得每种颜色的照度数据时、施加于转移晶体管62的控制信号TRG的时序图。

图8是描述由于控制线TRG与电力线51之间的耦合而生成的噪声的图形。

图9是例示当将逐步降低电压VDD#1获得的电压VDD#2施加于电力线51时、电力线51的电压的变化的图形。

图10是描述钳位单元32的图形。

图11是例示钳位单元32的示范性配置的电路图。

图12是描述与像素驱动单元21连接的像素控制线41m的图形。

图13是例示像素驱动单元21的第一示范性配置的框图。

图14是例示在照度计模式下获得每种颜色的照度数据时的电压(控制信号TRG)的时序图。

图15是例示像素驱动单元21的第二示范性配置的框图。

图16是描述像素驱动单元21的操作的图形。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380021833.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top