[发明专利]高分辨率显示器的构造有效
申请号: | 201380022342.7 | 申请日: | 2013-04-05 |
公开(公告)号: | CN104254915B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉 | 申请(专利权)人: | 伊格尼斯创新公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 显示器 构造 | ||
本发明提供了一种高分辨率有源矩阵显示器的布置,其包括分别被沉积于连续区域中的不同颜色的有机发光层,从而包括不止一个的像素发光区域。彩色滤光片被安置成部分地遮挡来自所述发光区域中的至少一些发光区域的光,以使得加色法原色从不同的像素子集透射出来。所述发光层可以以交替的平行带的方式沿着所述显示器的行或列而被沉积,或者所述发光层可以被取向为相对于彼此而垂直以使得所述发光层在至少一些像素的所述发光区域中重叠。在一些示例中,红色、绿色和蓝色像素以规律性图案被布置于所述显示器中,且所述蓝色像素的所述发光区域形成所述显示器的比所述红色像素或所述绿色像素任一者相对更大的区域。
技术领域
本发明一般地涉及通过在基板上可控地沉积材料而被形成的平板显示器以及用于制造这样的显示器的系统和方法,并且更具体地涉及其中通过遮蔽掩模板(shadowmask)而将发光层沉积于显示基板上的有机发光二极管显示器。
背景技术
显示器能够利用有机发光器件(“OLED”:organic light emitting device)的阵列而被创造出来,各所述有机发光器件分别被单独的电路(即,像素电路)控制着,所述电路具有如下的晶体管:该晶体管用于有选择地控制所述电路以使所述电路利用显示信息而被编程并且发出与所述显示信息对应的光。制备于基板上的薄膜晶体管(“TFT”:Thin filmtransistor)能够被并入到这样的像素电路中。
一般地,这样的像素电路包括驱动晶体管,该驱动晶体管将电流输送经过有机发光层。因为沿相反方向穿过发光层的空穴和电子的复合而在该发光层内生成了光。因而,所发出的光的强度是由流过发光层的电流量来控制的,并且所发出的光的颜色是由在复合事件的期间内所允许的能级跃迁来决定的,这是被挑选作为发光层的特殊有机材料的功能。此外,经过发光层的电流是由被施加给驱动晶体管的电压来控制的,这一(这些)电压调节该驱动晶体管的沟道区域的导电性从而控制经过发光层的电流大小(和发光)。
彩色显示器是通过利用大致为三分之一的发红光的像素、三分之一的发绿光的像素和三分之一的发蓝光的像素来布置显示器而被创造出来的,每组三个像素形成了由被独立编程的三个子像素构成的RGB像素组。通过编程各RGB像素组以使它们发出与通过将RGB内容添加进来而创建的各位置的所期望颜色对应的光,就显示出颜色内容。对RGB像素的设置能够通过如下方式来实现,即:利用分别生成红光、绿光和蓝光的发光层,并且使适当的发光层在所期望像素电路的发光区域中图案化从而创建出所期望的RGB图案。
因此,制造这样的显示器就需要精确地将各个发光层图案化,以致于使适当的发光材料位于各个像素的正确的发光区域中。采用由薄金属形成的遮蔽掩模板来遮蔽不想要发光材料的区域,与此同时发光材料通过该遮蔽掩模板而被沉积在显示器上。因此,遮蔽掩模板具有与所有的红色像素的发光区域对应的孔的图案,且该遮蔽掩模板被对准以便上述这些孔与红色像素一致并且红色发光材料被沉积。然后,可以移动该遮蔽掩模板(或者可以放置另一个遮蔽掩模板)以便各孔与绿色像素对准并且绿色发光材料被沉积,以此类推。对于非常高的像素分辨率(即,小的像素尺寸),遮蔽掩模板中的孔必须变得非常小,并且上述过程的精度会受到发光层中的不均匀性和难以使小孔精确对准的影响。
在其他的示例中,彩色显示器能由白色发光层形成,这些白色发光层被过滤以允许特定颜色透射过去。也就是说,生成白光(它本身是红色、绿色和蓝色的组合)的发光层可以被设置于所有像素的发光层中。彩色滤光片被布置于与特定像素相关的显示基板上,以使得红光、绿光和蓝光根据所期望的RGB图案而从显示器中透射出来。过滤每种颜色会浪费许多电力,这是因为许多所生成的光能被简单地过滤掉了,而只有一小部分被透射从而对所显示的颜色内容有贡献。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的