[发明专利]在读出电子器件和/或光传感器中具有抗混叠滤波器的成像探测器

权利要求书

1.一种成像装置(400)，包括：

探测器阵列(412)，其具有至少一个探测器片块(418)，所述探测器片块包括：

光传感器阵列(422)，其具有定位于非光敏感区(426)内的个体光敏感探测器像素(424)的二维阵列；

读出电子器件(432)，其耦合到所述光传感器阵列并且包括分别针对所述个体光敏感探测器像素中的每个的个体读出沟道阱(602、604)；以及

针对探测器像素的抗混叠滤波器(800)，所述抗混叠滤波器(800)定位于所述探测器像素的所述个体读出沟道阱的区域中。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述抗混叠滤波器的几何结构近似等于或小于探测器像素的几何结构。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述读出电子器件的几何结构近似等于或小于所述探测器像素的几何结构。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述读出电子器件包括：

多个金属层(802)，其中，所述抗混叠滤波器定位于所述读出电子器件的所述多个金属层中。

5.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述抗混叠滤波器定位于对应的读出沟道阱中。

6.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述抗混叠滤波器包括两个电容器。

7.根据权利要求6所述的成像装置，其中，所述抗混叠滤波器包括由绝缘体分隔的两个导电电极。

8.根据权利要求7所述的成像装置，其中，所述两个导电电极中的每个的大约十分之一形成所述电容器中的一个电容器，并且所述两个导电电极中的每个的大约十分之九形成所述电容器中的另一个电容器。

9.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述光传感器阵列是硅光传感器阵列并且所述读出电子器件是硅集成电路的一部分，并且所述硅集成电路与所述光传感器阵列通过硅-硅接合而被接合。

10.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述光传感器阵列包括背照射光电二极管。

11.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述光传感器阵列包括前照射光电二极管。

12.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像装置，其中，所述读出电子器件和所述光传感器阵列包括通过共价接合而接合到一起的硅基板。

13.一种成像装置(400)，包括：

探测器阵列(412)，其具有至少一个探测器片块(418)，所述探测器片块包括：

光传感器阵列(422)，其具有定位于非光敏感区(426)内的个体光敏感探测器像素(424)的二维阵列，其中所述光传感器阵列包括多个金属层(810)；

读出电子器件(432)，其耦合到所述光传感器阵列并且包括分别针对所述个体光敏感探测器像素中的每个的个体读出沟道阱(602、604)；以及

针对探测器像素的抗混叠滤波器(800)，所述抗混叠滤波器(800)定位于所述光传感器阵列的所述多个金属层中。

14.一种成像方法，包括：

通过定位于读出电子器件中的抗混叠滤波器，将探测器像素的输出信号路由到对应于所述探测器像素的所述读出电子器件，所述探测器像素是成像探测器的光传感器阵列中的多个探测器像素中的一个，其中，所述探测器像素的所述读出电子器件定位于对应于所述探测器像素的阱中；并且

利用读出电子器件来处理所述信号。

15.根据权利要求14所述的成像方法，其中，所述抗混叠滤波器定位于所述对应于所述探测器像素的阱中。