[发明专利]钨特征填充

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口、特征侧壁和特征内部；

在所述特征内保形地沉积钨以用第一主体钨层填充所述特征；

去除所述第一主体钨层的一部分以在所述特征内留下蚀刻过的钨层，包括从一个或多个侧壁去除钨；并且

在所述蚀刻过的钨层上选择性地沉积第二主体钨层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述保形地沉积钨包括允许空隙形成在所述第一主体钨层内。

3.根据权利要求2所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括打开所述空隙。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述保形地沉积钨包括允许在所述第一主体钨层中形成沿着所述特征的轴延伸的接缝。

5.根据权利要求4所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括将所述第一主体钨层蚀刻到接缝形成点。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中在所述蚀刻过的钨层上选择性地沉积第二主体钨层包括在不形成中间成核层的情况下，在所述蚀刻过的钨层上沉积所述第二主体钨层。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述特征相对于所述衬底的平面垂直定向。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述特征相对于所述衬底的平面水平定向。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括使所述第一主体钨层暴露于自由基物质，而实质上不暴露于离子物质。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括使所述第一主体钨层暴露于远程产生的等离子体。

11.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括使所述第一主体钨层暴露于原位等离子体。

12.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括使所述第一主体钨层暴露于使用电容耦合等离子体(CCP)产生器、感应耦合等离子体(ICP)产生器、变压器耦合等离子体(TCP)产生器、电子回旋共振(ECR)产生器、或螺旋波等离子体产生器所产生的等离子体。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括所述第一主体钨层的非保形蚀刻。

14.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括所述第一主体钨层的保形蚀刻。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括相对于底层选择性地蚀刻钨，所述底层加衬于所述特征，所述第一主体钨层沉积在所述特征上。

16.根据权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中去除所述第一主体钨层的一部分包括相对于底层非选择性地蚀刻钨，所述底层加衬于所述特征，所述第一主体钨层沉积在所述特征上。

17.根据权利要求1至16中的任一项所述的方法，包括在所述第二主体钨层上沉积薄层，所述薄层选自粘合层、衬垫层以及屏障层。

18.根据权利要求17所述的方法，包括在所述薄层上沉积第三主体钨层。

19.根据权利要求1至18中的任一项所述的方法，其中所述第二主体钨层相对所述特征不保形。

20.根据权利要求1至18中的任一项所述的方法，其中以具有大于100％的阶梯覆盖率的钨来填充所述特征。

21.一种方法，其包括：

提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口、特征侧壁、特征内部和沿着所述特征的长度延伸的特征轴；

在所述特征内沉积钨以用第一主体钨层来填充所述特征，其中晶粒生长实质上正交于所述特征轴；

去除所述第一主体钨层的一部分，以在所述特征内留下蚀刻过的钨层；并且

在所述蚀刻过的钨层上选择性地沉积第二主体钨层，其中晶粒生长实质上平行于所述特征轴。