[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201380023068.5 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104272470B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李昊旻 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,顾晋伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其包括:
支承基板;
在所述支承基板上的背电极层;
在所述背电极层上的光吸收层;
在所述光吸收层上的缓冲层;
穿过所述缓冲层、所述光吸收层和所述背电极层并露出所述支承基板的第一通孔;
在所述缓冲层上的前电极层;
穿过所述缓冲层并将所述背电极层电连接到所述前电极层的连接件;以及
穿过所述前电极层、所述缓冲层和所述光吸收层并露出所述背电极层的第二通孔;
在所述连接件的侧表面之一上的侧绝缘部,
其中,所述侧绝缘部直接接触通过所述通孔露出的所述背电极层、所述光吸收层,和所述缓冲层的侧表面,并且所述侧绝缘部在所述连接件的侧表面与所述背电极层、所述光吸收层和所述缓冲层的侧表面之间;
其中所述前电极层和所述连接件彼此一体地形成;以及
其中所述侧绝缘部的电阻大于所述连接件的电阻。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述侧绝缘部包括金属氧化物层、无机氧化物层或聚合物绝缘层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述侧绝缘部的宽度在1μm至10μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述连接件接触所述支承基板。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述连接件使用与所述前电极层相同的材料。
6.一种制造太阳能电池的方法,该方法包括:
在基板上形成背电极层;
在所述背电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成缓冲层;
形成穿过所述缓冲层、所述光吸收层和所述背电极层并且露出所述基板的第一通孔;
形成侧绝缘部,所述侧绝缘部直接接触通过所述第一通孔露出的所述背电极层的侧表面的一部分、所述光吸收层的侧表面的一部分,和所述缓冲层的侧表面的一部分;
在所述缓冲层上形成连接件和前电极层;
所述侧绝缘部设置在所述连接件的侧表面与所述背电极层所述侧表面的所述一部分、所述光吸收层的所述一部分和所述缓冲层所述一部分之间;
形成穿过所述前电极层、所述缓冲层和所述光吸收层并露出所述背电极层的第二通孔;
其中所述前电极层和所述连接件彼此一体地形成;以及
其中所述侧绝缘部的电阻大于所述连接件的电阻。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述连接件和所述前电极层同时并彼此一体地形成。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述侧绝缘部的宽度在1μm至10μm的范围内。
9.根据权利要求6所述的方法,其中所述连接件通过在所述通孔中沉积前电极材料形成。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述侧绝缘部包括金属氧化物层、无机氧化物层或聚合物绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的