[发明专利]静电夹具和静电夹具的制造方法有效
申请号: | 201380023475.6 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN104272450B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 山崎良;稻叶光晴;田口研良 | 申请(专利权)人: | 东华隆株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 夹具 制造 方法 | ||
1.一种静电夹具,其特征在于,该静电夹具包括:
基材部,该基材部构成用于保持圆晶的夹具主体;
多个绝缘层,其由形成于上述基材部的圆晶保持侧的喷镀覆膜构成;
加热部,该加热部由导电体构成,该导电体按照在上述多个绝缘层中的一个以上绝缘层的圆晶保持侧的表面上涂敷导电性糊的方式形成;
电极部,该电极部按照在上述多个绝缘层中的一个以上绝缘层的圆晶保持侧的表面上喷镀、或涂敷导电性糊的方式形成;以及
电介体层,该电介体层由形成于上述多个绝缘层的圆晶保持侧的喷镀覆膜构成。
2.一种静电夹具,其特征在于,该静电夹具包括:
基材部,该基材部构成用于保持圆晶的夹具主体;
绝缘层,其由形成于上述基材部的圆晶保持侧的表面上的喷镀覆膜构成;
加热部,该加热部由导电体构成,该导电体按照在上述绝缘层的圆晶保持侧的表面上涂敷导电性糊的方式形成;
电极部,该电极部按照在上述绝缘层的圆晶保持侧的表面上喷镀、或涂敷导电性糊的方式形成;以及
电介体层,该电介体层由形成于上述绝缘层的圆晶保持侧的喷镀覆膜构成。
3.根据权利要求1或2所述的静电夹具,其特征在于,上述导电性糊的固化后的残渣量为5重量%以下。
4.根据权利要求1~3中任何一项所述的静电夹具,其特征在于,加热部按照5mm以下的线宽而呈细长状进行布线。
5.根据权利要求1~4中任何一项所述的静电夹具,其特征在于,形成有上述加热部的绝缘层的表面的表面粗糙度Ra值为6μm以下。
6.根据权利要求1~5中任何一项所述的静电夹具,其特征在于,上述喷镀覆膜由从氧化物类陶瓷、氮化物类陶瓷以及氟化物类陶瓷中选择的一种以上材料构成。
7.一种静电夹具的制造方法,其特征在于,该方法包括:
绝缘层形成工序,其中,在构成夹具主体的基材部的圆晶保持侧喷镀喷镀材料,从而形成绝缘层;
加热部形成工序,其中,在上述绝缘层的圆晶保持侧的表面上,通过丝网印刷法、喷墨法以及分配法中的任一方法而涂敷导电性糊,从而形成由导电体构成的加热部;
电极部形成工序,其中,在上述绝缘层的圆晶保持侧的表面上喷镀、或通过丝网印刷法、喷墨法以及分配法中的任一方法而涂敷导电性糊,从而形成电极部;以及
电介体层形成工序,其中,在上述绝缘层的圆晶保持侧上喷镀喷镀材料,从而形成电介体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华隆株式会社,未经东华隆株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380023475.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造