[发明专利]具有设置在至少两个闪烁体阵列层之间的至少一个薄光传感器阵列层的多层水平计算机断层摄影(CT)探测器阵列

权利要求书

1.一种成像系统(100)，包括：

辐射敏感探测器阵列(110)，其包括：

至少两个闪烁体阵列层(116)；以及

至少两个对应的光传感器阵列层(114)，

其中，所述至少两个光传感器阵列层中的至少一个光传感器阵列层在入射辐射的方向上位于所述至少两个闪烁体阵列层之间，其中，在所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层中，直接转换产生的电流小于在所述至少一个光传感器阵列层中由来自于闪烁体的光产生的电流的预定阈值，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括硅或砷化镓中的至少一种，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括安装在薄层上的薄的绝缘体上半导体光电二极管阵列，并且其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层具有小于三十微米的厚度。

2.根据权利要求1所述的成像系统，其中，所述光传感器阵列层中的至少两个光传感器阵列层位于所述至少两个闪烁体阵列层之间。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像系统，其中，所述预定阈值小于百分之十、小于百分之五、小于百分之一、小于百分之零点五或小于百分之一的十分之一。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像系统，其中，所述至少两个闪烁体阵列层中离入射辐射较近的第一闪烁体阵列层包括具有第一原子序数的第一材料，并且所述至少两个闪烁体阵列层中离入射辐射较远的第二闪烁体阵列层包括具有第二原子序数材料的第二材料，其中，所述第一原子序数小于所述第二原子序数。

5.根据权利要求4所述的成像系统，其中，所述第一闪烁体阵列层包括掺杂质的硒化锌或掺杂质的钇钆铝石榴石中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的成像系统，其中，所述第二闪烁体阵列层包括硫氧化钆或镥铝石榴石中的至少一种。

7.根据权利要求1至2中的任一项所述的成像系统，还包括：

用于所述至少两个光传感器阵列层的不同读出电子器件，其中，所述不同读出电子器件沿所述入射辐射的所述方向堆叠；以及

对应于所述不同读出电子器件的不同辐射屏蔽，其中，每个辐射屏蔽交错在对应的电子器件上的叠层中。

8.一种方法，包括：

利用成像系统(100)的多谱水平探测器阵列(110)探测辐射，

其中，所述探测器阵列包括至少两个闪烁体阵列层(116)；以及至少两个对应的光传感器阵列层(114)，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的至少一个光传感器阵列层在沿入射辐射的方向上位于所述至少两个闪烁体阵列层之间，其中，在所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层中，直接转换产生的电流小于在所述至少一个光传感器阵列层中由来自于闪烁体的光产生的电流的预定阈值，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括硅或砷化镓中的至少一种，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括安装在薄层上的薄的绝缘体上半导体光电二极管阵列，并且所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层具有小于三十微米的厚度；

经由所述探测器阵列生成指示所探测的辐射的信号；并且

处理所述信号以生成一幅或多幅图像。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层将入射在其上的辐射的不足百分之一转换为直接转换电流。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述光传感器阵列层中的至少两个光传感器阵列层位于所述至少两个闪烁体阵列层之间。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少两个闪烁体阵列层中的第一闪烁体阵列层包括掺杂质的硒化锌或掺杂质的钇钆铝石榴石中的至少一种，并且所述至少两个闪烁体阵列层中的第二闪烁体阵列层包括硫氧化钆或镥铝石榴石中的至少一种。