[发明专利]有机发光二极管有效
申请号: | 201380024222.0 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104272488B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 姜旼秀;卢正权;朱文奎;咸允慧 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
1.一种有机发光器件,包括:
第一电极;
第二电极;以及
两个以上的发光单元,其提供在第一电极与第二电极之间,
其中,在这些发光单元中,电荷产生层提供在彼此相邻的两个发光单元之间;电子传输层提供在电荷产生层和发光单元之间,所述发光单元置于与两个相邻发光单元的第一电极相邻,且该电子传输层包括第一电子传输层以及第二电子传输层,其中该第一电子传输层掺杂有n-型掺杂剂,第二电子传输层掺杂有金属盐或有机金属盐,
其中掺杂到第二电子传输层中的金属盐或有机金属盐是碱金属或碱土金属的卤化物、或有机金属复合物。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中第一电子传输层提供在第二电子传输层与电荷产生层之间。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中另外的电子传输层提供在第二电极和与第二电极相邻的发光单元之间,且另外的电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层,其中第一电子传输层掺杂有n-型掺杂剂,第二电子传输层掺杂有金属盐、金属氧化物或有机金属盐。
4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中另外的电荷产生层提供在第二电极与该另外的电子传输层之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中另外的电荷产生层提供在第二电极和与第二电极相邻的发光单元之间。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中电荷产生层包括n-型有机材料层和p-型有机材料层。
7.根据权利要求6所述的有机发光器件,其中电荷产生层的n-型有机材料层的LUMO能级等于或大于电荷产生层的p-型有机材料层的HOMO能级。
8.根据权利要求6所述的有机发光器件,其中电荷产生层的p-型有机材料层的HOMO能级与电荷产生层的n-型有机材料层的LUMO能级的差值为2eV以下。
9.根据权利要求6所述的有机发光器件,其中电荷产生层的n-型有机材料层的LUMO能级为5eV至7eV。
10.根据权利要求6所述的有机发光器件,其中电荷产生层的p-型有机材料层的HOMO能级为5eV以上。
11.根据权利要求6所述的有机发光器件,其中电荷产生层的n-型有机材料层包含一种下述化学式2的化合物:
[化学式2]
在化学式2中,A1至A6各自为氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺酰胺基(-SO2NR)、硫酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR')、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2-C12烯基、取代或未取代的芳族或非芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单或二芳基胺、取代或未取代的芳烷基胺,以及
R与R’各自为取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的5至7元杂环。
12.根据权利要求11所述的有机发光器件,其中上述化学式2的化合物由下述化学式2-1至2-6中的任一项来表示:
[化学式2-1]
[化学式2-2]
[化学式2-3]
[化学式2-4]
[化学式2-5]
[化学式2-6]
13.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中第一电子传输层的n-型掺杂剂包含一种以上选自以下类型的物质:碱金属、碱土金属、稀土金属和金属化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择