[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征为，具有：

使从半导体激光振荡器射出且具有10μs～30μs的范围内的脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面的工序，其中，所述半导体基板的第1面形成有半导体元件，所述半导体基板的所述第2面侧的表层部非晶化到第1深度，并且在所述半导体基板的第2面侧的表层部的比第1深度浅的区域以相对高浓度注入有第1杂质，在第2面侧的表层部的比所述第1深度深的区域以相对低浓度注入有第2杂质；及

使具有所述第1激光脉冲的脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到所述第1激光脉冲的入射区域的工序，

设定所述第1激光脉冲的下降时刻与所述第2激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置，以使通过所述第1激光脉冲及所述第2激光脉冲的入射而上升的所述第1面的温度不超过预先确定的容许上限值，

所述第1激光脉冲以能够使所述第2杂质活性化的条件入射到所述第2面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

将所述第1激光脉冲的下降时刻设为t4、将所述第2激光脉冲的上升时刻设为t2、将所述第1激光脉冲的脉冲宽度设为W时，满足

-4W/5≤t2-t4≤W/2。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过所述第2激光脉冲的入射，产生所述非晶化的区域的熔融及结晶化，由此使所述第1杂质被活性化。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第2脉冲宽度在100ns～200ns的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

选择所述第1激光脉冲的波长，使得向所述半导体基板的光侵入长度大于从所述第2面到所述第2杂质被注入的区域的底面为止的深度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

选择所述第1激光脉冲的波长，使得向所述半导体基板的光侵入长度短于所述半导体基板的厚度。