[发明专利]存储设备和存储器件

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

存储器件，具有：

层状结构，至少包括磁化方向对应于信息而改变的存储层、所述磁化方向被固定的磁化固定层以及由非磁体制成的布置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层；电流能够在所述层状结构的层压方向上流动；

配线，用于为所述存储器件供应流向所述层压方向的电流；以及

存储控制单元，控制经由所述配线的对所述存储器件的电流供应，从而使记录电流流到待记录的所述存储器件的周期和待机电流流到下一个待记录的所述存储器件的周期重叠。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，

布置多个存储器件，并且所述存储控制单元用于通过以下方式来存储信息：经由所述配线使预定电平的所述待机电流流动到所述存储器件以使所述存储层的所述磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜下，并且经由所述配线使高于所述待机电流的所述记录电流流动以改变所述存储层的所述磁化方向。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，

所述存储器件具有覆盖层，并且

在所述存储层中，

第一铁磁层、连接层和第二铁磁层按照该顺序层压，

所述第一铁磁层经由所述连接层磁性连接到所述第二铁磁层，

所述第一铁磁层与所述中间层接触，

所述第二铁磁层与所述覆盖层接触，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个是面内磁化占主导地位的面内磁化层，并且

另一个是垂直磁化占主导地位的垂直磁化层。

4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，

在所述存储层中，经由所述连接层的所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的连接强度被设定为使得所述第一铁磁层和所述第二铁磁层两者的磁化方向在所述层压方向上没有电流流到所述存储器件的平衡状态下指向垂直于膜表面的方向。

5.根据权利要求4所述的存储设备，其中，

所述第一铁磁层是所述面内磁化层，且所述第二铁磁层是所述垂直磁化层。

6.根据权利要求5所述的存储设备，其中，

在所述待机电流流动时，所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度大于所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度。

7.根据权利要求4所述的存储设备，其中，

所述第一铁磁层是所述垂直磁化层，且所述第二铁磁层是所述面内磁化层。

8.根据权利要求7所述的存储设备，其中，

在所述待机电流流动时，所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度小于所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度。

9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，

所述中间层是隧道绝缘层。

10.根据权利要求3所述的存储设备，其中，

所述覆盖层包括氧化物层。

11.根据权利要求3所述的存储设备，其中，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层包括Co-Fe-B层。

12.根据权利要求10所述的存储设备，其中，

所述氧化物层为MgO层。

13.一种存储装置，包括：

层状结构，至少包括磁化方向对应于信息而改变的存储层、所述磁化方向被固定的磁化固定层、由非磁性体制成的布置在所述存储层和所述磁化固定层之间的中间层、以及覆盖层；电流能够在所述层状结构的层压方向流动；

在所述存储层中，

第一铁磁层、连接层和第二铁磁层按照该顺序层压，

所述第一铁磁层经由所述连接层磁性连接到所述第二铁磁层，

所述第一铁磁层与所述中间层接触，

所述第二铁磁层与所述覆盖层接触，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个是面内磁化占主导地位的面内磁化层，且另一个是垂直磁化占主导地位的垂直磁化层，并且

经由所述连接层的所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的连接强度被设定为使得所述第一铁磁层和所述第二铁磁层两者的磁化方向在没有电流流动到所述存储器件的平衡状态下指向垂直于膜表面的方向，且在低于记录电流的待机电流流到所述存储装置的待机状态下所述存储层的磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜。