[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其是用于制造反向阻断型半导体装置的方法，其中，所述反向阻断型半导体装置在具有相对的第1主面及第2主面的第1导电型半导体基板上，设有深度从所述第1主面达到所述第2主面的第2导电型分离层，从而具有正向耐压及反向耐压，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

第1工序，其在所述第1导电型半导体基板的所述第2主面上形成吸杂用多晶硅层；

第2工序，其在将配置于所述第1主面侧的中央部的活性部包围的外周处，形成深度从所述第1主面达到所述第2主面的所述第2导电型分离层；

第3工序，其在所述活性部的所述第1导电型半导体基板的所述第1主面上，形成包含绝缘栅结构的正面半导体区域；以及

第4工序，其对所述第1导电型半导体基板的所述第2主面进行磨削，将其厚度变为根据规定的耐压而确定的所述第1导电型半导体基板的厚度，

在所述第1工序中，将所述吸杂用多晶硅层的厚度设为：在所述第3工序结束之前所述吸杂用多晶硅层不会因为单晶化而消失，还残留有吸杂用多晶硅层的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述吸杂用多晶硅层的厚度在2μm以上。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1工序包括：

搭载工序，其将所述第1导电型半导体基板搭载到化学气相沉积装置的晶片船上；

成膜工序，在所述搭载工序之后，其通过化学气相沉积法在所述第1导电型半导体基板的所述第2主面上形成厚度在1.5μm以下的所述吸杂用多晶硅层；以及

拆除工序，在所述成膜工序之后，其将所述第1导电型半导体基板从所述晶片船上拆下来，

反复进行以所述搭载工序、所述成膜工序以及所述搭载工序为一组的工序，不断层叠所述吸杂用多晶硅层，从而使所述吸杂用多晶硅层的厚度达到所需要的厚度。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第3工序中，在所述第1导电型半导体基板的所述第1主面上，在形成所述活性部的所述正面半导体区域的同时形成构成所述活性部与所述第2导电型分离层之间的耐压结构部的正面半导体区域。