[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380025249.1 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104541359B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 佐藤宪;后藤博一;鹿内洋志;土屋庆太郎;篠宫胜;萩本和徳 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张永康,李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III-V族氮化物半导体的多层膜生长，其特征在于，其包括以下步骤：
以前述V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，
以比前述V族元素原料气体的前述第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比前述第1载气流量多的第2载气流量，使与前述第1氮化物半导体层具有不同组成的第2氮化物半导体层生长的步骤；
并且，积层前述第1氮化物半导体层与前述第2氮化物半导体层，
以使供给至前述反应炉的总气体流量与前述第1氮化物半导体层于生长时的总气体流量实质上相同的方式，来使前述第2氮化物半导体层生长。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，以前述V族元素原料气体相对于前述III族元素原料气体的比例分别适合前述第1氮化物半导体层和前述第2氮化物半导体层的方式，来设定前述第1原料气体流量和前述第2原料气体流量，以使前述第2氮化物半导体层于生长时的总气体流量与前述第1氮化物半导体层于生长时的总气体流量实质上相同的方式，调整前述V族元素原料气体的前述第1原料气体流量和第2原料气体流量、以及前述第1载气流量和第2载气流量。
3.如权利要求1所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，前述V族元素原料气体为氨气。
4.如权利要求2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，前述V族元素原料气体为氨气。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，在使前述第1氮化物半导体层生长的步骤中的V/III比，高于使前述第2氮化物半导体层生长的步骤中的V/III比。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
