[发明专利]用于制造电能存储单元的存储结构的方法有效
| 申请号： | 201380025337.1 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104302425A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | C.舒;T.索勒 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | B22F3/11 | 分类号： | B22F3/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 任宇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电能 存储 单元 结构 方法 | ||
1.一种用于制造金属-空气电能存储单元(4)的存储结构(2)的方法，该存储结构包括活性存储材料(6)和惰性材料(8)，所述方法包括下列步骤：
-制造包括活性存储材料(6)的多孔基体(30)，
-以包含惰性材料(8)的浸润介质(32)浸润所述多孔基体(30)并且
-对已浸润的基体(30)进行热处理以产生惰性包覆结构(12)，所述惰性包覆结构(12)至少部分地包覆所述活性存储材料(6)的颗粒。
2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，通过挤压法、沉积法、筛压法或通过层压压电陶瓷薄膜制造所述基体(30)。
3.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基体(30)的开口孔隙度在体积百分比20％至50％之间，尤其是在体积百分比20％至40％之间。
4.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述浸润介质(32)以溶胶、溶液或悬浊液形式存在。
5.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度在600℃至1200℃之间，尤其是在800℃至1100℃之间。
6.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述浸润和/或热处理过程至少重复一次。
7.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，各个存储材料颗粒(10)的包覆结构(12)通过所述热处理形面配合地连接成骨架结构(16)。
8.按前述权利要求之一所述的用于制造存储结构的方法，其特征在于，给所述基体(30)和/或浸润介质(32)添加惰性支撑颗粒(18)。
9.按前述权利要求之一所述的存储结构，其特征在于，所述活性存储材料(6)以铁氧化物形式存在。
10.按权利要求7所述的存储结构，其特征在于，所述活性存储材料(6)以氧化还原对、铁和铁氧化物形式存在。
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