[发明专利]异质触点太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种异质触点太阳能电池(10)，在该异质触点太阳能电池的正面(11)中设置有太阳光线(13)的入射部，所述异质触点太阳能电池具有由第一传导类型的晶体半导体材料制成的吸收体(1)；设置在所述异质触点太阳能电池(10)正面、比所述吸收体(1)高地掺杂的第一传导类型的非晶半导体层(3)；在所述第一传导类型的掺杂的非晶半导体层(3)的正面设置的透明的正面覆盖层；位于所述异质触点太阳能电池(10)的所述正面(11)上、具有彼此间隔开的多个触点结构(5)的正面接触部；在所述异质触点太阳能电池(10)背面设置的、与所述第一传导类型相反的第二传导类型的发射体(7)；以及设置在所述异质触点太阳能电池(10)的背面上的背面接触部(12)，其中

所述正面覆盖层是导电、透明的正面传导层(4)，该正面传导层设置在所述正面的、掺杂的非晶态半导体层(3)与所述正面接触部之间，

其特征在于，

所述背面接触部具有在所述异质触点太阳能电池(10)的背面(12)的表面上延伸的背面接触层(9)；并且

所述正面传导层(4)具有在7×10^-4至50×10^-4Ωcm的范围内的、有利地是高于11×10^-4Ωcm，优选高于14×10^-4Ωcm的电阻率。

2.根据权利要求1所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，在所述发射体(7)与所述背面接触部之间设置有导电的、透明的背面传导层(8)，该背面传导层具有在从7×10^-4到50×10^-4Ωcm范围内，有利地是高于11×10^-4Ωcm，优选高于14×10^-4Ωcm的电阻率。

3.根据权利要求1或2所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和所述背面传导层(8)具有相同的特定光学和电学特征。

4.根据权利要求3所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和所述背面传导层(8)具有相同的掺杂并且因此具有相同的电阻率。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和所述背面传导层(8)被不同地掺杂。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和所述背面传导层(8)在550nm到1200nm的波长范围内具有超过85％的透射率。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述背面传导层(8)在红外光谱区域中具有大于所述正面传导层(4)的透射率。

8.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和/或所述背面传导层(8)包括至少一个铟-锡氧化物层。

9.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和/或所述背面传导层(8)包括至少一个掺杂有铝的锌氧化物层。

10.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述正面传导层(4)和/或所述背面传导层(8)包括至少一个铟氧化物层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述第一传导类型是通过n掺杂形成的，并且所述第二传导类型是通过p掺杂形成。

12.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，在所述吸收体(1)与所述设置在正面的、掺杂的非晶半导体层(3)之间和/或在所述吸收体(1)与所述发射体(7)之间设置有非晶态的本征的半导体层(2，6)。

13.根据权利要求12所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述非晶态的本征的半导体层(2，6)是含氢的非晶态的硅层。

14.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述非晶态的、掺杂的半导体层(3)和/或所述发射体(7)是含氢硅层或者SiO_x层，其中x≤2。

15.根据前述权利要求中任一项所述的异质触点太阳能电池，其特征在于，所述发射体(7)是非结构化的。