[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

第一工序，在半导体衬底上隔着绝缘膜形成多晶硅层；

第二工序，向上述多晶硅层整体离子注入磷原子，通过在1000℃以上的温度下进行热处理来形成作为第二半导体层和第四半导体层的第一导电型半导体层；以及

第三工序，将硼原子和砷原子相互分开地选择性地离子注入到上述第一导电型半导体层，之后通过进行热处理使之在深度方向上贯穿上述第一导电型半导体层而到达上述绝缘膜且将杂质浓度高于上述第一导电型半导体层的杂质浓度的第三半导体层和第一半导体层相互分开地交替配置多个，

其中，上述第一半导体层是第一导电型，上述第三半导体层是第二导电型，上述第二半导体层在一端与上述第一半导体层接触且杂质浓度低于该第一半导体层的杂质浓度，该第三半导体层在上述第二半导体层的另一端与上述第二半导体层接触且杂质浓度高于该第二半导体层的杂质浓度，该第四半导体层在一端与上述第三半导体层接触并且杂质浓度低于该第三半导体层的杂质浓度，

其中，在上述第三工序中，以使上述多晶硅层的端部为上述第一半导体层的方式形成上述第三半导体层和上述第一半导体层，

其中，上述第三半导体层具有使耗尽层的延伸在内部停止那样的杂质浓度或者长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第一导电型半导体层的厚度方向的杂质浓度是固定的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第三工序包括以下工序：

通过将形成在上述第一导电型半导体层上的第一掩模作为掩模来离子注入硼原子，由此形成上述第三半导体层；以及

通过将形成在上述第一导电型半导体层上的第二掩模作为掩模来离子注入砷原子，由此形成上述第一半导体层，

其中，上述第一导电型半导体层的被上述第一掩模和上述第二掩模同时覆盖的部分的宽度为1.2μm以上且1.8μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二工序中的磷原子的离子注入中，磷原子的剂量为2×10¹⁴cm^-2以上且6×10¹⁴cm^-2以下。