[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：

第一工序，在将以氧化锡或氧化铟为主成分的透明导电膜形成于透光性基板上的透明导电性基板，使用CH₄气体和H₂气体对所述透明导电膜的表面进行等离子体处理；

第二工序，在所述第一工序之后，在所述透明导电膜上制作半导体元件。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述第一工序和所述第二工序之间，还具备在执行所述第一工序的反应室内导入置换气体并排出的第三工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体元件为光电转换装置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，气体流量比为0.1以上且0.9以下，所述气体流量比是CH₄气体的流量相对于CH₄气体的流量和H₂气体的流量的和的比。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，气体流量比为0.1以上且0.7以下，所述气体流量比是CH₄气体的流量相对于CH₄气体的流量和H₂气体的流量的和的比。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述第一工序，等离子体处理时的基板温度为200℃以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述透明导电性基板不进行清洗而执行所述第一工序。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述透明导电性基板在清洁度低于ISO14644－1的4级的氛围中通过并送入执行所述第一工序的反应室内。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在同一反应室内执行所述第一及第二工序。