[发明专利]用于检测埋藏缺陷的方法及设备

权利要求书

1.一种在目标微观金属特征中检测埋藏缺陷的方法，所述方法包括：

配置成像设备以用着陆能量撞击带电粒子使得所述带电粒子平均到达所述目标微观金属特征内的一深度；

配置所述成像设备以滤出二次电子且检测背向散射电子；

操作所述成像设备以收集归因于所述带电粒子的撞击而从所述目标微观金属特征发射的所述背向散射电子；及

比较所述目标微观金属特征的背向散射电子BSE图像与参考微观金属特征的所述BSE图像，以检测所述埋藏缺陷并对所述埋藏缺陷进行分类。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述埋藏缺陷包括所述微观金属特征中的空隙。

3.根据权利要求2所述的方法，其中至少部分归因于当与所述参考特征的中间区域中的像素比较时所述目标特征的中间区域中的像素具有较低灰度级而将所述埋藏缺陷分类为空隙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述微观金属特征包括插塞。

5.根据权利要求4所述的方法，其中至少部分归因于当与所述参考特征的中间区域中的像素比较时所述目标特征的中间区域中的像素具有较低灰度级而将所述埋藏缺陷分类为所述插塞的中空底部。

6.根据权利要求4所述的方法，其中至少部分归因于当与所述参考特征的环状区域中的像素比较时所述目标特征的环状区域中的像素具有较低灰度级而将所述埋藏缺陷分类为所述插塞的尖缩底部。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标微观金属特征包括钨特征。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标微观金属特征包括铜特征。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述着陆能量大于3.1千电子伏。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述着陆能量大于6千电子伏。

11.一种经配置以在目标微观金属特征中检测埋藏缺陷的设备，所述设备包括：

带电粒子束柱，其经配置以产生带电粒子的入射束，其中着陆能量处在使得所述带电粒子平均到达所关注深度的水平，且所述所关注深度小于所述埋藏缺陷的最大深度；

检测器，其经配置以滤出二次电子且检测背向散射电子；及

数据处理系统，其经配置以比较所述目标微观金属特征的背向散射电子BSE图像与参考微观金属特征的所述BSE图像，以检测所述埋藏缺陷并对所述埋藏缺陷进行分类。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述数据处理系统进一步经配置以至少部分归因于当与所述参考特征的中间区域中的像素比较时所述目标特征的中间区域中的像素具有较低灰度级而将所述埋藏缺陷分类为空隙。

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述数据处理系统进一步经配置以：在所述目标特征为插塞的情况下，如果所述带电粒子平均到达所述插塞的底部附近的深度且如果当与所述参考特征的中间区域中的像素比较时所述目标特征的中间区域中的像素具有较低灰度级，那么将所述埋藏缺陷分类为中空底部。

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述数据处理系统进一步经配置以：在所述目标特征为插塞的情况下，如果所述带电粒子平均上到达所述插塞的底部附近的深度且如果当与所述参考特征的环状区域中的像素比较时所述目标特征的环状区域中的像素具有较低灰度级，那么将所述埋藏缺陷分类为尖缩底部。

15.根据权利要求11所述的设备，其中所述目标微观金属特征包括钨。

16.根据权利要求11所述的设备，其中所述目标微观金属特征包括铜。

17.根据权利要求11所述的设备，其中所述带电粒子为电子。

18.根据权利要求11所述的设备，其中使用所述检测系统中的能量过滤器滤出所述二次电子。

19.根据权利要求11所述的设备，其中所述着陆能量大于3.1千电子伏。

20.根据权利要求11所述的设备，其中所述着陆能量大于6千电子伏。

21.一种在目标微观电介质特征中检测埋藏缺陷的方法，所述方法包括：

配置成像设备以用着陆能量撞击带电粒子使得所述带电粒子平均到达所述目标微观电介质特征内的一深度；

配置所述成像设备以滤出二次电子且检测背向散射电子；

操作所述成像设备以收集归因于所述带电粒子的撞击而从所述目标微观金属特征发射的所述背向散射电子；及

比较所述目标微观电介质特征的背向散射电子BSE图像与参考微观电介质特征的所述BSE图像以检测所述埋藏缺陷并对所述埋藏缺陷进行分类。