[发明专利]ITQ‑49材料、其生产方法及其用途

权利要求书

1.一种指定为ITQ-49的微孔结晶材料，特征在于其煅烧形式具有下表显示的X-射线图：

，

其中峰线的相对强度作为相对于最强峰的百分数计算，并且认为很强(vs)＝80-100，强(s)＝60-80，中等(m)＝40-60，弱(w)＝20-40，和很弱(vw)＝0-20；且

所述微孔结晶材料具有以下化学组成：

x X₂O₃:z ZO₂

其中：

-X为选自Al、B、Fe、In、Ga、Cr的三价元素或其混合物；

-Z为选自Si、Ge的四价元素或其混合物；

-z/x的值包含在9和无穷大之间。

2.权利要求1的微孔结晶材料，特征在于z/x的值包含在20和无穷大之间。

3.权利要求1或2的微孔结晶材料，特征在于Z是Si或者是Si和Ge的混合物。

4.权利要求1的微孔结晶材料，特征在于其具有以下化学组成：

t P₂O₅:x X₂O₃:z ZO₂

其中：

-X为选自Al、B、Fe、In、Ga、Cr的三价元素或其混合物；

-Z为选自Si、Ge的四价元素或其混合物；

-z/x的值包含在9和无穷大之间；

-t/(x+z)包含在1和0之间。

5.权利要求4的微孔结晶材料，特征在于z/x的值包含在20和无穷大之间。

6.权利要求4的微孔结晶材料，特征在于x是0。

7.权利要求1-2中任一项的微孔结晶材料，特征在于其非煅烧形式具有下表显示的X-射线图：

，

其中峰线的相对强度作为相对于最强峰的百分数计算，并且认为很强(vs)＝80-100，强(s)＝60-80，中等(m)＝40-60，弱(w)＝20-40，和很弱(vw)＝0-20。

8.权利要求7的微孔结晶材料，特征在于其具有以下化学组成：

nR:x X₂O₃:z ZO₂

其中：

-X为选自Al、B、Fe、In、Ga、Cr的三价元素或其混合物；

-Z为选自Si、Ge的四价元素或其混合物；

-z/x的值包含在9和无穷大之间；

R为烷基鏻阳离子的盐；和

n/(x+z)的值包含在1和0.001之间。

9.权利要求8的微孔结晶材料，特征在于R为1,4-丁二基-双(三叔丁基)氢氧化鏻。

10.权利要求8的微孔结晶材料，特征在于z/x的值包含在20和无穷大之间。

11.权利要求8的微孔结晶材料，特征在于x是0。

12.权利要求1-2中任一项的微孔结晶材料，特征在于其具有在四面体配位中通过氧桥接原子连接的原子，所述氧桥接原子连接具有四面体配位的相邻原子，在其晶胞中含有92个四面体配位的原子，指定为T1、T2、T3、T4直到T92，其位于具有下表显示的采用笛卡尔坐标a、b和c的晶体位置：

13.用于制备在权利要求1-12的任何一项中描述的材料的方法，特征在于其至少包括以下步骤：

a)制备混合物，该混合物含有H₂O、氟离子源、四价材料Z的氧化物或另一种来源和其为烷基鏻盐的结构导向剂(R)、三价元素X的任选来源，其中该合成混合物具有在以下范围内的氧化物的摩尔组成：

b)保持所述混合物在80-200℃的温度下，直到形成材料的晶体；

c)回收所述结晶材料。