[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备

权利要求书

1.一种充电构件，其包括：基体、弹性层和表面层，其特征在于，所述表面层含有具有由以下通式(1)、化学式(2)和通式(3)表示的构成单元，并且具有Si-O-Ti键、Ti-O-M键和Si-O-M键的高分子化合物：

TiO₄/₂  化学式(2)

MO₅/₂  通式(3)

通式(3)中，M为选自由V、Nb和W组成的组的任意原子；和通式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示以下通式(4)-(7)的任意一种；

通式(4)-(7)中：R₃-R₇、R₁₀-R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基；R₈、R₉、R₁₅-R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉-R₃₂各自独立地表示氢或具有1-4个碳原子的烷基；R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷氧基或具有1-4个碳原子的烷基；n、m、l、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数；p和r各自独立地表示4以上且12以下的整数；x和y各自独立地表示0或1；“*”和“**”分别表示与通式(1)中的硅原子和氧原子的键合位置。

2.根据权利要求1所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，通式(1)中的R₁和R₂各自独立地为选自由以下通式(8)-(11)表示的结构的任意一种：

通式(8)-(11)中，N、M、L、Q、S和T各自独立地表示1以上且8以下的整数；以及x′和y′各自独立地表示0或1；以及“*”和“**”分别表示与式(1)中的硅原子和氧原子的键合位置。

3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中所述高分子化合物中M的原子数与M和Ti的原子数之和的比M/(M+Ti)为0.005以上且0.95以下。

4.根据权利要求3所述的充电构件，其中所述M/(M+Ti)为0.01以上且0.90以下。

5.根据权利要求1-4的任意一项所述的充电构件，其中所述高分子化合物中硅的原子数与M和Ti的原子数之和的比Si/(M+Ti)为0.05以上且7.0以下。

6.根据权利要求5所述的充电构件，其中所述Si/(M+Ti)为0.10以上且5.0以下。

7.根据权利要求1-6的任意一项所述的充电构件，其中所述表面层的厚度为10-1000nm。

8.根据权利要求7所述的充电构件，其中所述表面层的厚度为50-500nm。

9.一种电子照相设备，其特征在于，其包括：感光构件和与所述感光构件接触配置的根据权利要求1-8的任意一项所述的充电构件。

10.一种处理盒，其特征在于，其包括：感光构件和与所述感光构件接触配置的根据权利要求1-8的任意一项所述的充电构件，所述处理盒构造为从电子照相设备的主体可拆卸。