[发明专利]包括在包含特定非离子表面活性剂的化学机械抛光组合物存在下进行III-V族材料的化学机械抛光的制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含有至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光，所述组合物(Q1)包含：

(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，

(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有

(b1)至少一个疏水性基团；及

(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：

(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及

(M)水性介质。

2.如权利要求1的方法，其中所述III-V族材料为GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb或GaInAsSb。

3.如权利要求1的方法，其中所述III-V族材料为GaAs。

4.如权利要求1-3中任一项的方法，其中所述亲水性基团(b2)为选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：

(b21)氧化烯单体单元，及

(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元，

所述单体单元(b21)与单体单元(b22)并不相同，且(b2)的所述聚氧化烯基团包含呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)。

5.如权利要求1-4中任一项的方法，其中所述亲水性基团(b2)为选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：

(b21)氧化乙烯单体单元，及

(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元，

(b2)的所述聚氧化烯基团包含呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)。

6.如权利要求1-5中任一项的方法，其中所述组合物(Q1)具有于1至8范围内的pH值。

7.如权利要求1-6中任一项的方法，其中所述组合物(Q1)另外包含(D)至少一种氧化剂。

8.如权利要求1-7中任一项的方法，其中所述疏水性基团(b1)为具有5至20个碳原子的烷基。

9.如权利要求1-8中任一项的方法，其中所述除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元(b22)衍生自经取代的环氧乙烷(X)，其中取代基选自具有1至10个碳原子的烷基。

10.如权利要求1-9中任一项的方法，其中所述除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元(b22)衍生自甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)。

11.如权利要求1-10中任一项的方法，其中所述颗粒(A)为二氧化硅颗粒。

12.如权利要求1-11中任一项的方法，其中所述组合物(Q1)包含：

(A)二氧化硅颗粒，

(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有

(b1)至少一个疏水性基团，其为具有5至20个碳原子的烷基；及

(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：

(b21)氧化乙烯单体单元，及

(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元，其中所述氧化烯单体单元衍生自甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)，

(b2)的所述聚氧化烯基团包含呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)，

(D)氧化剂，及

(M)水性介质。

13.化学机械抛光组合物(Q1)在对含有至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光中的用途，所述组合物(Q1)包含：

(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物

(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有

(b1)至少一个疏水性基团；及

(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：

(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及

(M)水性介质。