[发明专利]用于处理单分子的设备的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造用于处理单分子(M)的设备(100、200、300、400)的方法，所述方法包括下述步骤：

a)提供“处理层”(PL、PL1、PL2)；

b)将自组装抗蚀剂(155、355、356、357、455、456)沉积在所述处理层上，并使其自组装成两个相(155a、155b、355a、355b、356a、356b、357a、357b、455a、455b、456a、456b)的图案；

c)选择性地移除所述自组装抗蚀剂的一个相(155a、355a、356a、357a、455a、456a)；

d)通过剩余的自组装抗蚀剂(155b、355b、356b、357b、455b、456b)的掩膜在所述处理层(PL、PL1、PL2)中产生至少一个孔隙(A、Al、A2、A3)；

其中，步骤b)、c)和d)分别对第一处理层(PL1)和第二处理层(PL2)执行了两次。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述方法包括下述额外的步骤：

e)移除剩余的自组装抗蚀剂(155b、355b、356b、357b、455b、456b)。

3.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述处理层(PL、PL1、PL2)在所述自组装抗蚀剂(155、355、356、357、455、456)的沉积之前被预处理，以影响所得的相(155a、155b、355a、355b、356a、356b、357a、357b、455a、455b、456a、456b)的图案。

4.根据权利要求3所述的方法，

其特征在于，所述预处理包括主抗蚀剂(151、351、352、353、451、452)的沉积及其图案化。

5.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述第二处理层(PL2)包括所述第一处理层(PL1)。

6.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，在第一次执行和第二次执行中施加的所述自组装抗蚀剂(355、356、357、455、456)的图案在对齐和/或几何形状上不同。

7.根据权利要求6所述的方法，

其特征在于，所述图案中的每一个都包括一个相的条纹，其中不同图案的条纹彼此倾斜。

8.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述自组装抗蚀剂(155、355、356、357、455、456)包括嵌段共聚物。

9.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述处理层包括非传导性子层(110、210、310、410)或材料和/或传导性子层(120、220、320、420)或材料。

10.根据权利要求9所述的方法，

其特征在于，所述传导性子层(120、220、320、420)或材料包括石墨烯或由石墨烯衍生的材料。

11.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，将额外的层至少部分地沉积在所述处理层(PL、PL1、PL2)上。

12.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，所述处理层(PL、PL1、PL2)连接到电路(140)，通过所述电路能够控制与穿过所述孔隙(A、Al、A2、A3)的分子(M)的交互作用。

13.根据权利要求4所述的方法，

其特征在于，主抗蚀剂(151、351、352、353、451、452)的图案化通过光学光刻和/或电子束光刻来进行。

14.根据权利要求10所述的方法，

其特征在于，所述石墨烯或由石墨烯衍生的材料存在于少于五个的单层中。