[发明专利]单相差分变换电路、平衡‑不平衡变换器以及通信装置有效

专利信息
申请号: 201380026750.X 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104335487B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 吉川直人;山本宪 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H03H11/32 分类号: H03H11/32;H03K17/687;H04B1/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 郭定辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 相差 变换 电路 平衡 不平衡 变换器 开关 以及 通信 装置
【权利要求书】:

1.一种单相差分变换电路,包括:

各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第一导电型第一晶体管,该栅极连接到输入端子,该源极构成为连接到第一电压源,该漏极连接到输出节点;

各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第二导电型第二晶体管,该栅极连接到所述输入端子,该源极构成为连接到第二电压源,该漏极连接到所述输出节点;

插入并连接在所述输入端子和所述输出节点之间的第一电阻元件;

连接到所述输入端子的第一输出端子;

直接或间接地连接到所述输出节点的第二输出端子;

各自包括栅极和源极的一个或多个第二导电型第三晶体管,该栅极构成为连接到所述第一电压源,该源极构成为连接到所述输出节点;以及

各自包括栅极和源极的一个或多个第一导电型第四晶体管,该栅极构成为连接到所述第二电压源,该源极构成为连接到所述输出节点,

其中

所述一个或多个第一晶体管的跨导和所述一个或多个第二晶体管的跨导之和大于所述一个或多个第三晶体管的跨导和所述一个或多个第四晶体管的跨导之和。

2.如权利要求1所述的单相差分变换电路,其中

所述第一晶体管至第四晶体管的沟道长度彼此相等,

所述一个或多个第一晶体管的沟道宽度大于所述一个或多个第四晶体管的沟道宽度,

所述一个或多个第二晶体管的沟道宽度大于所述一个或多个第三晶体管的沟道宽度。

3.如权利要求1所述的单相差分变换电路,其中

所述一个或多个第三晶体管中的每一个晶体管还包括构成为连接到所述第一电压源的漏极,

所述一个或多个第四晶体管中的每一个晶体管还包括构成为连接到所述第二电压源的漏极。

4.如权利要求1所述的单相差分变换电路,还包括:

一个或多个第二电阻,其与所述一个或多个第三晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第二端子构成为连接到所述第一电压源;以及

一个或多个第三电阻,其与所述一个或多个第四晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第二端子构成为连接到所述第二电压源,

其中,所述一个或多个第三晶体管中的每一个晶体管还包括连接到分别对应的第二电阻的该第一端子的漏极,以及

所述一个或多个第四晶体管中的每一个晶体管还包括连接到分别对应的第三电阻的该第一端子的漏极。

5.如权利要求1所述的单相差分变换电路,还包括插入并连接在所述输出节点和所述第二输出端子之间的衰减部分。

6.如权利要求5所述的单相差分变换电路,其中

所述衰减部分包括:

包括第一端子和第二端子的第一电容器,该第一端子连接到所述输出节点,该第二端子连接到所述第二输出端子;以及

各自包括第一端子和第二端子的一个或多个第二电容器,该第一端子连接到所述第二输出端子,该第二端子构成为连接到所述第二电压源。

7.如权利要求1所述的单相差分变换电路,还包括:

一个或多个第一开关,其与所述一个或多个第一晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第一端子连接到所述第一电压源,该第二端子连接到分别对应的第一晶体管的该源极;以及

一个或多个第二开关,其与所述一个或多个第二晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第一端子连接到所述第二电压源,该第二端子连接到分别对应的第二晶体管的该源极。

8.如权利要求3所述的单相差分变换电路,还包括:

一个或多个第三开关,其与所述一个或多个第三晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第一端子连接到所述第一电压源,该第二端子连接到分别对应的第三晶体管的该漏极;以及

一个或多个第四开关,其与所述一个或多个第四晶体管对应地提供并各自包括第一端子和第二端子,该第一端子连接到所述第二电压源,该第二端子连接到分别对应的第四晶体管的该漏极。

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