[发明专利]用于有机电子器件的基板有效
申请号: | 201380026796.1 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN104321898B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 金荣银;金钟硕;文英均;黄珍夏 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H05B33/22 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 电子器件 | ||
1.一种用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述用于有机电子器件的基板包括:
基础层;
光学功能层,其在所述基础层上形成,并具有与所述基础层相比小的投影面积;
中间层,其具有与所述光学功能层相比大的投影面积,并且均形成在所述光学功能层的上方和未形成有所述光学功能层的基础层的上方;及
电极层,其形成在所述中间层上,并且与所述中间层的折射率之差的绝对值为1以下,且具有与所述光学功能层相比大的投影面积,而且均形成在所述光学功能层的上方及未形成有所述光学功能层的基础层的上方,
其中所述光学功能层包括光散射层,其中所述光散射层包括基体材料和光散射颗粒,所述光散射颗粒的折射率与所述基体材料的折射率不同,
其中所述基体材料包括聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺,
所述中间层为SiON、TiO2、SiO2、Al2O3、Ta2O3、Ti3O3、TiO、ZrO2、Nb2O3、CeO2或ZnS,
其中所述光学功能层还包括在所述光散射层的上方形成的平整层。
2.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述电极层的投影面积与所述光散射层的投影面积之比值为1.04以上。
3.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述中间层的厚度为10nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述基础层为透明的。
5.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述电极层为空穴注入电极层或电子注入电极层。
6.根据权利要求5所述的用于有机电子器件的基板,其特征在于,
所述平整层的折射率为1.7以上。
7.一种有机电子设备,其特征在于,
所述有机电子设备包括:
权利要求1所述的用于有机电子器件的基板;
有机层,其在所述基板的电极层上形成,并包括发光层;及
第二电极层,其在所述有机层上形成。
8.根据权利要求7所述的有机电子设备,其特征在于,
所述基板的所述光散射层的形成区域的长度与所述发光层的发光区域的长度之差在10μm至2mm的范围内。
9.根据权利要求7所述的有机电子设备,其特征在于,
所述有机电子设备还包括用于保护有机层和第二电极层的封装结构,所述封装结构粘附于在下方未形成有光散射层的基板的电极层的上方。
10.根据权利要求9所述的有机电子设备,其特征在于,
所述封装结构为玻璃罐或金属罐,或者为覆盖所述有机层和所述第二电极层的整个表面的薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择